ГОСТ РИСО 16243—2016
По оси
X
отложена глубина (в нм), а по оси
Y
атомарная концентрация (в %). Слой Та20 5 на тантале был проанализиро
ван с помощью РФЭС профилирования с использованием ионного распыления. Профиль, показывающий увеличение атомарной
концентрации с глубиной, соответствует Та 4f (4f — обозначение четвертой электронной оболочки атома кислорода, f — соот
ветствует f-электроиу). Профиль, показывающий уменьшение атомарной концентрации с глубиной, соответствует О 1s. Условия
эксперимента: энергия ионного пучка аргона составляет 1 кэв ток пучка равен 3 мкА. площадь сканирования равна 4 * 2 мм.
угол равен 58° по отношению нормали к образцу, вращение отсутствует, общее время травления 900 с. Скорость травления была
откалибрована с помощью стандартного образца Та20 5. Профили распределения по глубине были получены с помощью про
граммного обеспечения, реализующего аппроксимацию линейной функцией с помощью метода наименьших квадратов. {Данные
предоставлены Thermo Fisher Scientific)
Рисунок А.З — Пример профилей распределения элементов по глубине,
полученных с помощью РФЭС
8