ГОСТ 8.653.3-2016
0,4. Модель изолированного ДЭС является не
к
орре
к
тной для малого
ш (ДЭС больших размеров), та
к
к
а
к
пере
к
рытие ДЭС в та
к
ом
случае происходит даже в очень разбавленных суспензиях.
В том случае,
к
огда ДЭС сильно пере
к
рываются, они теряют
свою первоначальную э
к
споненциальную диффузную стру
к
туру,
область наложения становится все более и более однородной.
Можно представить, что заряженные частицы просто э
к
ранируют
с однородным обла
к
ом противоположно заряженных ионов. Эта
модель носит название «гомогенной» [22].
Эта модель описывает упрощенную связь между плотностью
эле
к
тричес
к
ого заряда диффузного слоя & и дзета-потенциалом С
сферичес
к
ихчастицвдисперсныхсистемах,особеннодля
монодисперсных систем:
где R - универсальная газовая постоянная, Щ/(моль К);
Т- абсолютная температура, К;
F - постоянная Фарадея, Кл/моль;
<р- объемная доля частиц;
£т-относительнаядиэле
к
тричес
к
аяпроницаемость
жид
к
ости;
а -радиусчастицы, м;
к
- обратная длинаДебая, мг1;
С- дзета-потенциал, В.
Формула (А. 14) отражает различие между «тон
к
ими ДЭС» и
«пере
к
рывающимися ДЭС». В случае модели «тон
к
ого ДЭС»
к
а
к
поверхностныйзаряд,та
к
идзета-потенциалявляются
, =
1
RT
1
-
<р
°
3
F<р
(А. 14)
поверхностными свойствами, независимо от объемной доли
25