ГОСТ 8.653.3-2016
к
- обратная блина Дебая, м*т.
Тогда соотношение между плотностью электрического заряда в
диффузном слое и потенциалом Штерна:
О* =-еме^
к
у/ ^ +’(А.
11
)
где£т-относительнаядиэле
к
тричес
к
аяпроницаемость
жид
к
ости;
со - диэле
к
тричес
к
ая постоянная, Ф/м;
к
- обратная длина Дебая, м~1;
ц/* - потенциал Штерна, В;
а - радиус частицы, м.
Приближение Дебая-Хюккеля справедливо для любого значения
и , но охватывает только изолированные двойные слои.
Плотностьэлектрического зарядав диффузномслоедля
значений
к
а>2 выражается формулой [19], [21]:
где£т-относительнаядиэле
к
тричес
к
аяпроницаемость
жид
к
ости;
£о - диэле
к
тричес
к
ая постоянная, Ф/м;
F - постоянная Фарадея, Кл/моль;
к
- обратная длинаДебая, м~1;
у?1- нормированное значение потенциала, В;
с -
к
онцентрация эле
к
тролита, моль/м3;
а - радиус частицы, м;
z - валентность ионов.
2sk
±
E ii +4 fr ii- ^ /4)
к
azi
(А.12)
23