ГОСТ 8.653.3-2016
Для симметричного электролита электрический потенциал qj на
расстоянии х от плоской поверхности в ДЭС, определяется по
формуле:
tanht^y-/
ART)
ехр(-**) =
tanh[sPV(x)/4КГ\
’
(А.4)
где z - валентность иона;
F - постоянная Фарадея, Кл/моль;
itfx) - эле
к
тричес
к
ий потенциал в двойном слое, В;
ij/ - потенциал Штерна, В;
R - универсальная газовая постоянная, Дж/(мольК);
Т- абсолютная температура, К.
Соотношениемеждуплотностьюэлектрическогозарядаи
потенциала диффузного слоя для асимметричногоэлектролита
определяется по формуле:
О* =-(sgn^ \I^em^)CRf\y+exp[-:+^J)+v
_
exp(-r.^rf)-v+-v
.]’2
, (A.5)
где i / - потенциал Штерна, В;
Cm-относительнаядиэле
к
тричес
к
аяпроницаемость
жид
к
ости;
со - диэле
к
тричес
к
ая постоянная, Ф/м;
с -
к
онцентрация эле
к
тролита, моль/м3;
R - универсальная газовая постоянная, Дж/(моль-К);
Т- абсолютная температура, К;
v
±
-количествокатионови анионов,произведенныхпри
диссоциации одной молекулы электролита, моль;
d
цг -безразмерный потенциал, определяемый по формуле:
RT
(А.
6
)
20