ГОСТ Р 56667—2015
Приложение Б
(справочное)
Технология изготовления прямых совмещенных преобразователей
поперечных волн
Б.1 Активные элементы оригинальных ПЭП изготавливают из полуфабрикатов пьвзокврамики типа ЦТС в
форме поляризованных плоских брусков путем их распилки алмазным кругом с охлаждением водной эмульсией во
избежаниедеполяризации.
Б.2 Схема разрезки приведена на рисунке Б.1
1 — электроды полуфабриката, полученные путем вжигания серебра; 2 — направление поляризации;
3— направление разрезки
Рисунок Б.1 — Схема разрезки поляризованных полуфабрикатов при изготовлении активных элементов ПЭП
Б.З Толщину пластинок определяют по формуле
2Г
h =
vc_
(Б.1)
где Vt — скорость поперечных упругих волн впьезокерамике.
Б.4 Полученные пьезопластинки шлифуют, но не полируют, т. к. полировка заметно снижает коэффици
ент электромеханической связи для преобразователей поперечных волн.
Б.5 На одну из сторон пластинок методом вакуумного напыления наносят контактный слой металла (мож
но использовать серебро или никель) толщиной не менее 0.5 мкм.
Б.6 На напыленный слой металла электролитически наносят спой меди толщиной не менее 0.1 мм.
Б.7 Конструкция преобразователя изображена на рисунке Б.2.
1— пьеэопластинка; 2 — контактный слой; 3 — механическийдемпфер;
4— металлический экран; 5 — компауд; 6 — высокочастотный кабель
Рисунок Б.2 — Конструкция пьезопреобразователя поперечных волн
Б.8 Механический демпфер 3 в форме пирамиды изготавливают из пластифицированной эпоксидной смо
лы. в которую в обьемном соотношении 1:1 вносят наполнитель из мелкодисперсной свинцовой стружки или из
вольфрамовых шариков со средним диаметром 0.05 мм. Достаточно высокая плотность материала пирамиды
12