ГОСТ Р 56978-2016
Примечание — Необходимо следовать рекомендациям изготовителя ФМ относительно максимального
количества цепочек, защищаемых одним аппаратом защиты от сверхтоков, если оно указано.
В том случав, когда для защиты от свврхтоков применяется блокирующий диод, номинальный ток
/пр тах диода должен составлять:
*лр max
2 1-4
иод СУИ.( 1 8 )
Коэффициент при определении /пр тах должен быть увеличен, если есть вероятность возникно
вения повышенного тока короткого замыкания ФБ. обусловленного отражением от снега или другими
условиями эксплуатации.
Примечание 1 — При расчетах должны быть учтены примечания 1—3 подраздела 5.2.
Примечание 2 — Если ФБ состоит из одной фотоэлектрической цепочки, защита такой фотоэлектриче
ской цепочки осуществляется аппаратом защиты от свврхтоков ФБ.
Аппараты защиты от сверхтоков фотоэлектрической цепочки должны обеспечивать отключение
максимально возможного тока короткого замыкания от АБ. Как правило, это значение существенно
больше значения, полученного по формулам (2), или (4). или (6).
Размещение аппаратов защиты от сверхтоков фотоэлектрических цепочек см. 6.3.6.
6.3.4 Защита от сворхтоков фотоэлектрической группы
Защита от сверхтоков фотоэлектрической группы должна быть установлена, если к одному УПЭ
присоединено более двух фотоэлектрических групп (примеры см. рисунки 5. 7).
Номинальное значение тока аппаратов защиты от сверхтоков фотоэлектрических групп /„ гр опре
деляется по следующему выражению:
1 25ф
суи
<rp s 2.4
lt 3
ф СУИ.(19)
Для обеспечения большей гибкости при проектировании здесь используется множитель 1,25 вме
сто множителя 1,5. используемого при расчете фотоэлектрических цепочек.
Уменьшенное значение множителя в формуле (7) следует применять с осторожностью в зонах с
частыми случаями повышенной освещенности, так как это может привести к частым неоправданным
срабатываниям защиты от сверхтоков.
В том случав, когда для защиты от свврхтоков применен блокирующий диод, номинальный ток /пр тах
диода должен составлять:
(fip max * 1 4 4(.1 гр СУИ-(2 0 )
Коэффициент при определении /пр тах должен быть увеличен, если есть вероятность возникно
вения повышенного тока короткого замыкания ФБ. обусловленного отражением от снега или другими
условиями эксплуатации.
Если ФБ разделена на фотоэлектрические группы разных уровней (параллельные соединения
разных уровней), расчет параметров аппаратов защиты фотоэлектрических групп каждого уровня про
водится аналогично.
1-25/’ зСУИ < / п ф £ 2.4/
х
3 грСУИ,(21)
И^пр max * г 4 / ’. з г р С у и .(2 2 )
где / — уровень группы. / = 1 — первая группа, состоящая из параллельно соединенных фотоэлектри
ческих цепочек.
Примечание — При расчетах должны быть учтены примечания 1—3 подраздела 5.2.
Аппараты защиты от сворхтоков фотоэлектрической группы должны обеспечивать отключение
максимально возможного тока короткого замыкания от АБ. Как правило, это значение существенно
больше значения, полученного по формулам (7) — (10).
Размещение аппаратов защиты от сверхтоков фотоэлектрических групп см. 6.3.6.
6.3.5 Защита от сверхтоков на выходе фотоэлектрической батареи
Установка защиты на выходе ФБ определяется наличием в контуре потребления оборудования,
ненормальные режимы работы которого могут привести к возникновению сворхтоков в ФБ.
Если в фотоэлектрической системе, в состав которой входит ФБ. есть АБ. или если в аварийном ре жиме
питание цепей потребителя вместо ФБ могут осуществлятьдругие источники тока, или если возможно
27