ГОСТ Р 56978-2016
альмое защитное покрытие. Толщина покрытия и технология его нанесения должны соответствовать месту
установки и назначению фотоэлектрической системы и обеспечивать достаточную защиту от коррозии.
При применении ФБ вблизи сельскохозяйственных объектов, например животноводческих ком
плексов. также необходимо учитывать воздействие вызывающих коррозию газов, таких как аммиак.
Следует принимать меры для предотвращения электрохимической коррозии между разнородны
ми металлами. Она может происходить в первую очередь между монтажными конструкциями ФБ и
зданием, на котором (в конструкциях которого) устанавливается ФБ, а также между несущими конструк
циями. элементами крепления и компонентами ФМ.
Для уменьшения электрохимической коррозии между контактирующими поверхностями разно
родных металлов следует размещать прокладочные материалы, такие как нейлоновые шайбы, резино
вые изоляторы и т. п.
5 Параметры
5.1 Базовые параметры
Базовыми параметрами являются параметры ФМ, из которых состоит ФБ:
- напряжение холостого хода при СУИ
(Uxx
мод суи) в вольтах с предельными отклонениями в
процентах;
- ток короткого замыкания при СУИ (/кзмадсуи) в амперах с предельными отклонениями в процентах;
- значение номинального тока защиты от сверхтоков (/зст ыод тах)/значение максимально допу
стимого обратного тока.
Примечание — Эта величина часто указывается изготовителем модуля как максимальное значение но
минального тока последовательно устанавливаемого плавкого предохранителя;
- максимальное напряжение фотоэлектрической системы, в которую может быть установлен ФМ;
- рекомендованное максимальное количество ФМ в фотоэлектрической цепочке и максимальное
количество фотоэлектрических цепочек в ФБ;
- максимальное рекомендуемое напряжение фотоэлектрической цепочки;
- температурные коэффициенты тока, напряжения и максимальной мощности.
- номинальное и минимальное значения максимальной выходной мощности при СУИ. а также для
условий НРТЭ. УНО, УВТ. УНТ (по
ГОСТР МЭК 61853-1)-,
- условия эксплуатации, на которые рассчитаны ФМ.
5.2 Определение параметров фотоэлектрических компонентов
и фотоэлектрической батареи
Ток короткого замыкания фотоэлектрической цепочки
1КЗ
цеправен наименьшему значению тока из
значений токов
1Я З
мод фотоэлектрических модулей, входящих в эту цепочку.
Если разброс значений токов короткого замыкания разных ФМ пренебрежительно мал по сравне
нию с величиной тока /к3мод, то для расчетов можно принимать, что
1
^с.э цеп — ^
.1
иод ’
Напряжение холостого хода фотоэлектрической цепочки
Ux
хиеп определяется как:
N
Ц«.хцел - ^ Ц с . х м о д , -(2 )
/-1
где
N
— количество последовательно соединенных ФМ в фотоэлектрической цепочке.
Если разброс значений напряжений холостого хода разных ФМ пренебрежительно мал по сравне
нию с величиной напряжения
Ux
хцеп, то для расчетов можно принимать, что
U
U
х.х цеп
=
N
х.х мод
(3)
Ток короткого замыкания фотоэлектрической группы /к згр определяется как:
з г р - 1 К..з цеп k •
(4)
*-1
где Мгр— количество параллельно соединенных фотоэлектрических цепочек в фотоэлектрической группе.
20