ГОСТ Р 56978-2016
значение /(а м суи может со временем возрастать. Это следует учитывать при разработке мер защиты
от сверхтоков. При расчете должно быть учтено максимальное ожидаемое значение тока.
При выборе защиты от сверхтоков должны быть учтены максимальные возможные обратные токи,
которые могут возникнуть в ФБ при аварийных ситуациях, например коротком замыкании, в контуре по
требления фотоэлектрической системы (в АБ, УПЭ. проводниках электрораспределительной сети и пр.).
Если характеристики присоединяемого к ФБ оборудования контура потребления заранее неизвестны, в
документации ФБ должно быть указано значение максимально допустимого обратного тока на входе в ФБ.
В качестве аппаратов для защиты от сворхтоков должны применяться автоматические выключа
тели или предохранители с плавкими вставками с характеристикой gPV. В определенных случаях до
пускается применение блокирующих диодов. Их применение является эффективным методом защиты от
сверхтоков при условии, что надежность блокирующих диодов сохраняется в течение срока службы. Для
защиты ФМ могут применяться шунтирующие диоды.
Применяемые для защиты ФМ и/или проводки аппараты защиты от сверхтоков должны обеспечи
вать надежное и устойчивое функционирование в течение 2 ч при сверхтоке, составляющем 135 % от
номинального тока аппарата защиты.
Аппараты защиты от сверхтоков могут выполнять одновременно функции защиты от сверхтоков
и коммутации, а также быть объединены с коммутационными аппаратами. В этом случае они должны
также соответствовать требованиям 7.5.1.
Требования к компонентам ФБ, выполняющим функции защиты от сверхтоков, см. также в соот
ветствующих подразделах раздела 7.
6.3.2 Защита от сверхтоков фотоэлектрических модулей
В ФБ с максимальным напряжением выше 50 В для защиты ФМ должны быть установлены шун
тирующие диоды (см. рисунки 5—6). При использовании некоторых типов тонкопленочных модулей, а
также ФМ. изготовленным по другим технологиям, установка шунтирующих диодов может не требовать
ся. Шунтирующие диоды могут быть установлены в ФМ изготовителем ФМ.
Если шунтирующие диоды устанавливаются при изготовлении ФБ. они должны иметь номинальное
напряжение не менее
2UXX
модсуи защищаемого(ых) модуля(ей) и номинальный ток не менее 1.4/„ sмодсуи.
6.3.3 Защита от сверхтоков фотоэлектрической цепочки
Количество фотоэлектрических цепочек, которые могут быть соединены параллельно без защиты
общим аппаратом защиты от сверхтоков, определяется максимально допустимым обратным током ФМ.
указанным изготовителем ФМ. то есть обратным током, который может выдержать каждая цепочка.
Защита фотоэлектрической цепочки от сверхтоков должна быть установлена, если:
М
6
а
1
> % « Ч * . ~ 1 ) ^к.з моя
с у и
) >
*ЗСТ
мод max *
если в ФБ нет фотоэлектрических групп, и
И р > 2; ((И р
“
1) ’х.з мод
с у и
) 51
1
3CT
мод тал •
(13)
если ФБ разделена на фотоэлектрические группы.
Защита от сверхтоков фотоэлектрической цепочки осуществляется одним из двух вариантов:
а) Каждая фотоэлектрическая цепочка защищается аппаратом защиты от сверхтоков (например,
см. рисунки 3—7). номинальный ток которого /„ цепсоответствует условиям:
1.5/(14)
цеп ^ ^ 3CT мод max’
(15)
Ь) Несколько параллельно соединенных фотоэлектрических цепочек защищаются одним общим
аппаратом защиты от сверхтоков (например, см. рисунок 8). номинальный ток которого
1п
цеп определя
ется по следующему выражению:
.
1.5
М
зет
V.3 мод СУИ < ^я цеп С ^ 3CT моя max
- ( ( М ^ т - 1 ) /(16)
при условии, что/ зст модтах > 4 /* 3„ оя суи,(17)
где МЗСТ — количество параллельных фотоэлектрических цепочек, защищенных одним аппаратом за
щиты от сверхтоков.
25