Хорошие продукты и сервисы
Наш Поиск (введите запрос без опечаток)
Наш Поиск по гостам (введите запрос без опечаток)
Поиск
Поиск
Бизнес гороскоп на текущую неделю c 29.12.2025 по 04.01.2026
Открыть шифр замка из трёх цифр с ограничениями

ГОСТ Р 56981-2016; Страница 40

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы ГОСТ Р 56983-2016 Устройства фотоэлектрические с концентраторами. Методы испытаний (Настоящий стандарт распространяется на котроллеры заряда, используемые со свинцово-кислотными аккумуляторными батареями (АБ) в наземных фотоэлектрических системах. Стандарт устанавливает минимальные требования к рабочим характеристикам и функционированию контроллеров заряда и соответствующие методы испытаний. Цель настоящего стандарта – обеспечение надежности работы контроллеров заряда и увеличение срока службы АБ. В настоящем стандарте рассматриваются следующие функции контроллеров заряда:. - управление зарядом/разрядом АБ;. - взаимодействие с фотоэлектрической батареей (ФБ), заряжающей АБ;. - управление нагрузкой;. - функции защиты;. - функции взаимодействия с оператором (пользователем). Контроллеры заряда также могут осуществлять иные управляющие функции при условии, что выполнение этих функций проверяется соответствующими испытаниями. Настоящий стандарт распространяется в том числе на контроллеры заряда с широтно-импульсной модуляцией тока заряда (ШИМ контроллеры). Настоящий стандарт применим также к контроллерам заряда, используемым с другими типами АБ, например с никель-кадмиевыми, или другими накопителями энергии. В этом случае необходимо использовать соответствующие значения напряжений элемента АБ и, возможно, скорректировать требования к испытательному оборудованию, если контроллеры заряда рассчитаны на напряжения выше 120 В или токи выше 100 А. Настоящий стандарт должен применяться совместно с ГОСТ Р МЭК 62093 в части, не рассмотренной в настоящем стандарте, в том числе в части требований и методов испытаний, связанных с внешними воздействиями и условиями эксплуатации контроллеров заряда) ГОСТ Р 56979-2016 Модули фотоэлектрические. Испытания на стойкость к воздействию аммиака (Фотоэлектрические модули являются электрическими устройствами, предназначенными для постоянного использования вне помещения в течение всего срока службы. Высококоррозионные влажные условия (например, условия окружающей среды в районе животноводческих предприятий) со временем могут привести к деградации компонентов фотоэлектрических модулей вследствие их взаимодействия с аммиаком (коррозии металлических частей, ухудшению характеристик и деструкции некоторых неметаллических материалов, таких как защитные покрытия и пластики). Указанная деградация приводит к необратимым повреждениям, которые могут нарушить работоспособность и безопасность эксплуатации фотоэлектрических модулей. Настоящий стандарт распространяется на плоские фотоэлектрические модули и устанавливает процедуры испытаний для определения стойкости указанных модулей к воздействию аммиака (NH3). Настоящий стандарт распространяется также на фотоэлектрические модули криволинейной конструкции, если криволинейность конструкции определяется формой внешней конструкции (устройства), в которую встраивается модуль (частью которой является модуль) или функцией, которую модуль выполняет помимо преобразования солнечной энергии, например козырек здания) ГОСТ Р МЭК 61727-2016 Системы фотоэлектрические. Подключение к распределительным электрическим сетям (Настоящий стандарт распространяется на фотоэлектрические системы, предназначенные для работы параллельно с распределительной электрической сетью общего назначения и включающие полупроводниковые инверторы с секционирующей защитой. Настоящий стандарт распространяется на фотоэлектрические системы номинальной мощностью не более 10 кВА с однофазным или трехфазным переменным током на выходе системы, предназначенные для применения в частном секторе. Настоящий стандарт устанавливает требования к подключению указанных систем к распределительным электрическим сетям)
Страница 40
Страница 1 Untitled document
ГОСТ Р 56981—2016
Примечание 2 Датчики устанавливают на ту часть шунтирующего диода, тепловое сопротивление
между которой и переходом указано изготовителем всопроводительной документации или может быть найдено по
типу диода (как правило, это корпус диода).
Примечание 3 Одновременно могут быть установлены датчики температуры блокирующих диодов.
4) Устанавливают средства нагрева воздуха внутри испытуемого образца.
5) Подключают приборы для измерения температуры.
6) Подключают положительный выход источника питания постоянного тока к отрицательным
выводам испытуемого образца и отрицательный выход источника питания постоянного тока к поло
жительным выводам испытуемого образца с использованием проводов минимального сечения из ре
комендованного изготовителем диапазона. При такой схеме соединений ток будет протекать через
фотоэлектрические элементы в обратном направлении, а через диод в прямом.
Во время испытаний через каждый шунтирующий диод, участвующий в испытаниях, должен про
текать ток. равный току, подаваемому на испытуемый образец. Если в испытуемом образце установле но
несколько шунтирующих диодов, для обеспечения указанного условия может потребоваться уста новка
перемычки(чек) или переключателя.
Примечание Как правило, это условие соблюдается, если ток протекает только через один шунтиру
ющийдиод.
7) Подключают приборы для измерения тока.
8) Нагревают воздух внутри испытуемого образца до температуры {75 i 5) °С и поддерживают ее
на этом уровне в течение всего времени испытаний. В течение 1ч подают на испытуемый образец ток,
равный его номинальному току ± 2 %. Через 1 ч измеряют температуру каждого шунтирующего диода,
принимающего участие в испытаниях, и температуру изоляционного материала оболочки в местах, где
она ожидается наибольшей.
9) Определяют тепловое сопротивление и максимальную допустимую температуру перехода шун-
тирующих/блокирующих диодов по сопроводительной документации или типу диодов. По измеренной
температуре корпуса либо другой части диодов, на которую установлены датчики (см. примечание 2
этапа 3). рассчитывают температуру перехода с помощью следующего выражения:
*пврТ’кор + *в п
ер-кор
и
пр
I
пр’
(D
где 7"пвр
Гкор
температура перехода диода:
измеренная температура корпуса диода;
R
0
nep-r.op указанное изготовителем значение теплового сопротивления переход-корпус;
Unp постоянное прямое напряжение диода при / ;
/пр постоянный прямой ток диода; /пр равен подаваемому на испытуемый образец току
(номинальному току испытуемой коммутационной коробки ± 2 %).
Рассчитанная температура перехода шунтирующего диода не должна превышать заданную из
готовителем максимальную допустимую температуру перехода. Если это условие выполняется, пере
ходят к следующему этапу испытаний.
10) Увеличивают подаваемый на испытуемый образец ток до значения, превышающего в 1.25
раза его номинальный ток. Поддерживают значение тока на указанном уровне и температуру воздуха
внутри испытуемого образца на уровне (75 ± 5) °С в течение 1 ч.
11) Проверяют работоспособность каждого шунтирующего диода, принимающего участие в ис
пытаниях.
Одним из возможных способов является повторная подача прямого тока через шунтирующийдиод
и обратного тока через испытуемый образец и контроль температуры диода с помощью ИК-камеры.
Перед выполнением проверки по этому способу необходимо дождаться, когда температура шунтирую
щего диода установится на уровне температуры окружающей среды.
12) Если в испытуемом образце установлено несколько шунтирующих диодов и нет возможности
испытать все шунтирующие диоды одновременно (см. этап 6), устанавливают датчики температуры на
следующий(е) диод(ы). если они не были установлены на этапе 3). меняют положение перемычек или
переключателя и повторяют этапы 8) 11) поочередно с каждой группой шунтирующих диодов, кото
рые можно испытать одновременно, или с каждым диодом.
13) Если в испытуемом образце установлены блокирующие диоды, выполняют этапы 14) и 15).
37