Хорошие продукты и сервисы
Наш Поиск (введите запрос без опечаток)
Наш Поиск по гостам (введите запрос без опечаток)
Поиск
Поиск
Бизнес гороскоп на текущую неделю c 29.12.2025 по 04.01.2026
Открыть шифр замка из трёх цифр с ограничениями

ГОСТ Р 56983-2016; Страница 31

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы ГОСТ Р 56982-2016 Системы фотоэлектрические. Контроллеры заряда. Рабочие характеристики, функционирование и испытания (Настоящий стандарт распространяется на котроллеры заряда, используемые со свинцово-кислотными аккумуляторными батареями (АБ) в наземных фотоэлектрических системах. Стандарт устанавливает минимальные требования к рабочим характеристикам и функционированию контроллеров заряда и соответствующие методы испытаний. Цель настоящего стандарта – обеспечение надежности работы контроллеров заряда и увеличение срока службы АБ. В настоящем стандарте рассматриваются следующие функции контроллеров заряда:. - управление зарядом/разрядом АБ;. - взаимодействие с фотоэлектрической батареей (ФБ), заряжающей АБ;. - управление нагрузкой;. - функции защиты;. - функции взаимодействия с оператором (пользователем). Контроллеры заряда также могут осуществлять иные управляющие функции при условии, что выполнение этих функций проверяется соответствующими испытаниями. Настоящий стандарт распространяется в том числе на контроллеры заряда с широтно-импульсной модуляцией тока заряда (ШИМ контроллеры)) ГОСТ Р 56981-2016 Модули фотоэлектрические. Коммутационные коробки. Требования безопасности и испытания (Настоящий стандарт распространяется на коммутационные коробки фотоэлектрических модулей и устанавливает требования к конструкции, безопасности и испытаниям таких коммутационных коробок. Стандарт распространяется на коммутационные коробки фотоэлектрических модулей, применяемых в фотоэлектрических системах с напряжением 1500 В постоянного тока. Настоящий стандарт также распространяется на коробки и шкафы, устанавливаемых в электронных цепях фотоэлектрических модулей (цепях преобразования, управления, контроля и т. п.). Для учета влияния конкретных условий эксплуатации (например, воздействия ультрафиолетового излучения или солевого тумана) к требованиям и испытаниям настоящего стандарта могут быть добавлены дополнительные требования и испытания. Настоящий стандарт не применим к электронным цепям фотоэлектрических модулей, на которые распространяются другие стандарты) ГОСТ Р 56979-2016 Модули фотоэлектрические. Испытания на стойкость к воздействию аммиака (Фотоэлектрические модули являются электрическими устройствами, предназначенными для постоянного использования вне помещения в течение всего срока службы. Высококоррозионные влажные условия (например, условия окружающей среды в районе животноводческих предприятий) со временем могут привести к деградации компонентов фотоэлектрических модулей вследствие их взаимодействия с аммиаком (коррозии металлических частей, ухудшению характеристик и деструкции некоторых неметаллических материалов, таких как защитные покрытия и пластики). Указанная деградация приводит к необратимым повреждениям, которые могут нарушить работоспособность и безопасность эксплуатации фотоэлектрических модулей. Настоящий стандарт распространяется на плоские фотоэлектрические модули и устанавливает процедуры испытаний для определения стойкости указанных модулей к воздействию аммиака (NH3). Настоящий стандарт распространяется также на фотоэлектрические модули криволинейной конструкции, если криволинейность конструкции определяется формой внешней конструкции (устройства), в которую встраивается модуль (частью которой является модуль) или функцией, которую модуль выполняет помимо преобразования солнечной энергии, например козырек здания)
Страница 31
Страница 1 Untitled document
ГОСТ Р 56983—2016
2)Устанавливают датчики измерения температуры испытуемого образца и датчики измерения
температуры всех шунтирующих диодов или одновременно испытуемых диодов (см. этап 5).
П р и м е ч а н и е 1 Если измерение температур проводят бесконтактным способом, например с помощью
ИК камеры, установка датчиков температуры не требуется.
П р и м е ч а н и е 2 Датчики устанавливают на ту часть шунтирующего диода, тепловое сопротивление
между которой и переходом указано изготовителем в сопроводительной документации или может быть найдено по
типу диода (как правило, это корпус диода).
П р и м е ч а н и е
3 — Одновременно могут быть установлены датчики температуры блокирующих диодов.
4 Если используется замещающий образец, датчики могут быть установлены при его
П р и м е ч а н и е
изготовлении.
3) Устанавливают средства нагрева испытуемого образца.
4) Подключают приборы для измерения температуры шунтирующих диодов и температуры ис
пытуемого образца.
5) Подключают положительный выход источника питания постоянного тока к отрицательным выво
дам испытуемого образца и отрицательный выход источника питания постоянного тока к положительным
выводам испытуемого образца с использованием проводов минимального сечения из рекомендованного
изготовителем диапазона. Вводы в коммутационную коробку должны быть выполнены в соответствии с
рекомендациями изготовителя, после чего она должна быть закрыта. При такой схеме соединений ток
будет протекать через фотоэлектрические элементы в обратном направлении, а через диод— в прямом.
Во время испытаний через каждый шунтирующий диод, участвующий в испытаниях, должен про
текать ток, равный току, подаваемому на испытуемый образец. Если в испытуемом образце установле но
несколько шунтирующих диодов, для обеспечения указанного условия может потребоваться уста новка
перемычки(чек) или переключателя.
П р и м е ч а н и е Как правило, это условие соблюдается, если ток протекает только через один шунтиру
ющий диод.
6) Подключают приборы для измерения тока.
7) Нагревают испытуемый образецдо температуры (75 ± 5) °С и поддерживают ее на этом уровне
в течение всего времени испытаний. В течение 1 ч подают на испытуемый образец ток, равный току
короткого замыкания испытуемого образца, измеренному при СУИК. ±2 %. Через 1 ч измеряют темпе
ратуру каждого шунтирующего диода, принимающего участие в испытаниях.
8) Определяют тепловое сопротивление и максимальную допустимую температуру перехода шун-
тирующих/блокирующих диодов по сопроводительной документации или типу диодов. По измеренной
температуре корпуса либо другой части диодов, на которую установлены датчики (см. примечание 2
этапа 2), рассчитывают температуру перехода каждого шунтирующего диода, участвовавшего в этапах
испытаний 5)-7). с помощью следующего выражения:
где
Ъ’ер
^0 пер кор
’пр
Я,
I
.
т
пер
кор
+
бпер г.ор
и
пр пр*
(4)
температура перехода диода;
измеренная температура корпуса диода;
указанное изготовителем значение теплового сопротивления переход-корпус;
постоянное прямое напряжение диода при / ;
постоянный прямой ток диода. /пр равен подаваемому на испытуемый образец току
(току короткого замыкания испытуемого образца, измеренному при СУИК ±2 %).
П р и м е ч а н и е Если в испытуемом образце установлен радиатор теплоотвода, специально пред
назначенный для снижения рабочей температуры диода(ов), испытания могут быть проведены не при 75 "С. а
при температуре, которой достигает радиатор теплоотвода при 1000 Вт/м2. температуре окружающей его
среды (43 ± 3) "С и отсутствии ветра.
Рассчитанная температура перехода шунтирующего диода не должна превышать заданную из
готовителем максимальную допустимую температуру перехода. Если это условие выполняется, пере
ходят к следующему этапу испытаний.
9)Увеличивают подаваемый на испытуемый образец ток до значения, превышающего в 1.25 раза
ток короткого замыкания испытуемого образца, измеренный при СУИК. Поддерживают значение тока
на указанном уровне и температуру испытуемого образца на уровне (75 ± 5) °С в течение 1ч.
28