Хорошие продукты и сервисы
Наш Поиск (введите запрос без опечаток)
Наш Поиск по гостам (введите запрос без опечаток)
Поиск
Поиск
Бизнес гороскоп на текущую неделю c 11.11.2024 по 17.11.2024
Открыть шифр замка из трёх цифр с ограничениями

ГОСТ Р МЭК 61675-1-2013; Страница 17

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы ГОСТ Р МЭК 61345-2013 Модули фотоэлектрические. Испытания на воздействие ультрафиолетового излучения (Настоящий стандарт распространяется на фотоэлектрические модули и устанавливает правила проведения испытаний по определению стойкости модуля к воздействию ультрафиолетового (УФ) излучения. Испытания применяются для оценки стойкости к воздействию УФ-излучения таких материалов, как пластики и защитные покрытия. Целью данного стандарта является определение способности модуля выдерживать ультрафиолетовое излучение в диапазоне от 280 до 400 нм. До выполнения этого испытания должна быть выполнена световая обработка или другие предварительные процедуры в соответствии с МЭК 61215 или МЭК 61646) ГОСТ Р МЭК 61701-2013 Модули фотоэлектрические. Испытания на коррозию в солевом тумане (Настоящий стандарт распространяется на фотоэлектрические модули и устанавливает процедуры испытаний для определения стойкости различных фотоэлектрических модулей к коррозионному воздействию солевого тумана, содержащего ионы хлора (NaCl, MgCl2 и т. п.). Все испытания, включенные в эти процедуры, за исключением испытания шунтирующего диода на работоспособность, полностью описаны в МЭК 61215, МЭК 61646, МЭК 62108, МЭК 61730-2 и МЭК 60068-2-52) ГОСТ Р МЭК 61829-2013 Батареи фотоэлектрические из кристаллического кремния. Измерение вольт-амперных характеристик в полевых условиях (Настоящий стандарт распространяется на фотоэлектрические батареи из кристаллического кремния и устанавливает порядок измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ) кремниевых кристаллических фотоэлектрических батарей в натурных условиях и пересчета данных измерения для стандартных условий испытаний (СУИ) или для других выбранных значений температуры и энергетической освещенности)
Страница 17
Страница 1 Untitled document
ГОСТ Р МЭК 61675-12013
Си
R..J
=
С’,ния
(7)
где
Cj j
- счет в РОИ для слоя / и соответствующей временной фракции
j
;
-
Cj HU1K
средний счет в РОИ для слоя / в трех временных фракциях с наименьшей
АКТИВНОСТЬЮ (см. 3.5.4.1).
При делении все нормализующие коэффициенты, зависящие от различной эффективности на
срез, сокращаются. Строят график зависимости этого отношения от номера среза. В этом графике
все отклонения от линии, параллельной оси абсцисс и соответствующей среднему значению,
являются измерением АДРЕСНОГО НАКОПЛЕНИЯ в аксиальном направлении. Определяют
АКТИВНОСТЬ в фантоме в пределах ОБЩЕГО ПОЛЯ ЗРЕНИЯ, соответствующую 5%-ному
отклонению для любого слоя.
П р и м е ч а н и е - Аксиальные отклонения на высоких скоростях счета в большинстве случаев часто
вызываются АДРЕСНЫМ НАКОПЛЕНИЕМ, но могут также зависеть от других факторов, обусловленных
конструкцией томографа.
%
Для систем, использующих ТРЕХМЕРНУЮ РЕКОНСТРУКЦИЮ, это испытание не проводят, т. к.
конструктивное расположение реконструированного слоя и аксиального кристаллического кольца
приводит к неопределенности результатов этого испытания.
3.5.4.3 ПРОВЕРКА СХЕМЫ КОРРЕКЦИИ ПРОСЧЕТОВ
Из ряда реконструированных изображений в соответствии с 3.5.4.1 для каждого слоя) строят
графики (см. рисунок 8):
a) измеренных отсчетов ИСТИННЫХ СОВПАДЕНИЙ;
b
) отсчетов ИСТИННЫХ СОВПАДЕНИЙ, откорректированных на ПРОСЧЕТЫ;
c) отсчетов ИСТИННЫХ СОВПАДЕНИЙ, откорректированных на ПРОСЧЕТЫ и радиоактивный
распад.
Коррекция радиоактивного распада должна быть проведена с ПЕРИОДОМ ПОЛУРАСПАДА в
соответствии с таблицей 1 для всех срезов и условий рассеяния. Этот ПЕРИОД ПОЛУРАСПАДА
должен быть представлен при низких ПРОСЧЕТАХ (низкие ПРОСЧЕТЫ, но высокий коэффициент
коррекции радиоактивного распада) линией, параллельной оси абсцисс. Все отклонения от этой
параллельной линии определяют погрешности в коррекции ПРОСЧЕТОВ.
3.5.5 Отчет
3.5.5.1 ХАРАКТЕРИСТИКА СКОРОСТИ СЧЕТА ИСТИННЫХ СОВПАДЕНИЙ (см. 3.5.4.1)
Из измерений в соответствии с 3.5.4.1 строят графики, показывающие ХАРАКТЕРИСТИКУ
СКОРОСТИ СЧЕТА (включая характеристику скорости счета СЛУЧАЙНЫХ СОВПАДЕНИЙ) для всей
системы и уровней АКТИВНОСТИ при 20и 50 % ПРОСЧЕТАХ (без коррекции затухания и
нормализации) для каждого среза. Для всей системы приводят отчет об измеренной СКОРОСТИ
СЧЕТА ИСТИННЫХ СОВПАДЕНИЙ при 20 % и 50 % ПРОСЧЕТОВ.
Данные о числе отчетов в РОИ (для стержневого источника диаметром 21 мм в цилиндре
диаметром 194 мм) получают делением измеренных ИСТИННЫХ СОВПАДЕНИЙ во всем слое на
АКТИВНОСТЬ для каждого слоя.
3.5.5.2 АДРЕСНОЕ НАКОПЛЕНИЕ (см. 3.5.4.2)
Отчет о нормализованных отсчетах в РОИ проводят на графике в соответствии с 3.5.4.2. Отчет
о наблюдаемой АКТИВНОСТИ в фантоме в пределах ПОЛНОГО ПОЛЯ ЗРЕНИЯ, вызывающей 5 %
отклонение в аксиальной профильной кривой, составляют в соответствии с 3.5.4.2.
3.5.5.3 ТОЧНОСТЬ КОРРЕКЦИИ ПРОСЧЕТОВ (см. 3.5.4.3)
Отчет проводят с помощью графиков в соответствии с 3.5.4.3. Отчет о максимальном
отклонении от линейности до точки насыщения и соответствующая АКТИВНОСТЬ в любом слое для
трех условий рассеяния описаны в 3.5.3.1.1 -3.5.3.1.3.
3.6 ИЗМЕРЕНИЕ РАССЕЯНИЯ
3.6.1 Общая часть
Рассеяние первичного гамма-излучения, возникающего при аннигиляции позитронов, приводит к
совпадению событий с ложной информацией о месте расположения источника излучения. Различия в
конструкции и приборном оснащении приводят к различной чувствительности ПОЗИТРОННЫХ
ЭМИССИОННЫХ ТОМОГРАФОВ по отношению к рассеянному излучению.
13