ГОСТ РМЭК 60891—2013
4Для фотоэлектрических приборов из кристаллического кремния параметр
а
обычно принимает положи
тельное значение, а параметр
р
- отрицательное.
Методики определения параметров коррекции ВАХ испытуемого образца описаны в разделах 4-6.
Уравнение (1) применимо только в том случае, когда энергетическая освещенность остается по
стоянной в течение всего процесса измерения ВАХ. Для импульсных солнечных имитаторов с осла
бевающим уровнем энергетической освещенности или любым другим видом колебаний величины
энергетической освещенности в процессе измерения ВАХ уравнение (1) в данном виде неприменимо. В
этом случае корректируют каждое полученную ВАХ к эквивалентной ВАХ для неизменного значения
энергетической освещенности путем введения масштабного фактора перед /«. С практической точки
зрения масштабный фактор удобно привязывать к значению энергетической освещенности, которая
наблюдается в момент измеренияВ результате введения масштабного фактора уравнение преоб
разования (1) в случае непостоянной энергетической освещенности принимает следующий вид
где G0 - значение энергетической освещенности в момент измерения /„; G’, - значение энерге
тической освещенности в момент измерения ВАХ в конкретной точке (Л.1Л).
3.3 Методика коррекции 2
Настоящая методика основана на упрощенной однодиодиой модели фотоэлектрического при
бора. В этом случае полуэмпирические уравнения преобразования содержат пять параметров кор
рекции ВАХ. которые могут быть найдены в результате измерения ВАХ в условиях различных значе ний
температуры и энергетической освещенности. Наряду с температурным коэффициентом тока ко
роткого замыкания о и температурным коэффициентом напряжения холостого хода
р
. как правило,
используют дополнительный температурный коэффициент
к’,
который позволяет учесть изменение
внутреннего последовательного сопротивления (и коэффициента заполнения ВАХ) при изменении
температуры.
Настоящая методика коррекции определяется следующими уравнениями для тока и напряжения:
где /,, У, - координаты точек измеренной ВАХ;
/2,
V2
- координаты соответствующих точек скорректированной ВАХ;
G, - энергетическая освещенность, измеренная эталонным прибором,
G2
- требуемая энергетическая освещенность для скорректированной ВАХ;
7i - измеренная температура испытуемого образца;
Т2-
требуемая температура испытуемого образца;
Ца, - напряжение холостого хода испытуемого образца при СУИ;
стоп, и /Зсгм- относительный температурный коэффициент тока и относительный температурный
коэффициент напряжения испытуемого образца, измеряемого при энергетической освещенности,
равной 1000 Вт/м2. Значения этих коэффициентов связаны со значениями тока короткого замыкания и
напряжения холостого хода при СУИ;
а - фактор коррекции по энергетической освещенности для напряжения холостого хода, кото
рый связан с тепловым напряжением
D
рп-перехода диода и количеством последовательно соеди
ненных в модуле элементов Лп!
R
п - внутреннее последовательное сопротивление испытуемого образца;
к
-температурный коэффициент внутреннего последовательного сопротивления /?’п.
Примечания:
1Типичным значением фактора коррекции по освещенности является э=0.06.
2 Следует учитывать, что численное значение для R’n в методике 2 может отличаться от численного зна
чения для Rnв методике 1.
(3)
(4)
3