ГОСТ 30852.10—2002
7.5 Полупроводниковые элементы
7.5.1 В л и я н и е п е р е х о д н ы х п р о ц е с с о в
7.5.1.1 В связанном электрооборудовании полупроводниковые элементы должны выдерживать им
пульсный ток, возникающий в переходном режиме. Значение тока определяется делением амплитудного
значения напряжения переменного тока или максимального значения напряжения постоянного тока на зна
чение сопротивления последовательно включенного неповреждаемогорезистора.
7.5.1.2 В искробезопасном электрооборудовании влиянием переходных процессов внутри электро
оборудования, а также связанных с источниками его питания можно пренебречь.
7.5.2 Ш у н т ы , о г р а н и ч и в а ю щ и ен а п р я ж е н и е
7.5.2.1 Полупроводниковые элементы могут использоваться в качестве шунтирующих устройств для
ограничения напряжения, при условии, что с учетом переходных процессов они удовлетворяют указанным
ниже требованиям.
Полупроводниковый элемент должен быть рассчитан на ток, равный 1,5-кратному току короткого
замыкания, который может протекать в электрической цепи при замыкании полупроводникового элемента.
Данными изготовителя полупроводниковых элементовдолжно быть подтверждено следующее:
а)диоды (управляемые и неуправляемые), стабилитроны, транзисторы, включенные по схеме диода
и аналогичные полупроводниковые устройства должны быть рассчитаны на номинальный рабочий ток. в
1.5 раза превышающий максимально возможный ток короткого замыкания;
б) стабилитроны должны иметь в режиме стабилизации 1,5-кратный запас по мощности, которая
может рассеиваться на них, а в прямом направлении — 1.5-кратный запас по току, который протекает в
месте их установки при повреждении на замыкание:
в) диоды должны иметь в обратном направлении 1,5-кратный запас по напряжению, которое мо
жет быть приложено к диоду.
г) транзисторы должны иметь 1.5-кратные запасы по мощности, напряжению междуколлекто
ром и эмиттером и обратномунапряжению междуэмиттером и базой, токам коллектора и базы.
7.5 2.2Для искробезопасной цепи уровня ia применение управляемых полупроводниковых элемен
тов или сборки элементов в качестве шунтирующих ограничителей напряжения, например, транзисторов,
тиристоров, стабилизаторов напряжения и тока, ит.д., разрешается, если входная и выходная цепи явля
ются искробезопасными или будет доказано, что они не подвержены влиянию переходных процессов со
стороны питающей сети. В электрических цепях, выполненных в соответствии с вышеуказанными требо
ваниями, устройства сдублированием считают неповреждаемым блоком. В связанном электрооборудова
нии для искробвзопасной цепи уровня ia могут использоваться три управляемых полупроводниковых
элемента, для уровня ib — два. для уровня ic — один, при условии соблюдениятребований 7.5.1. Такие
электрические цепи должны бытьдополнительно испытаны в соответствии с 10.4.3.3.
7.5.3 П о с л е д о в а т е л ь н ы е т о к о о г р а н и ч и т е л ь н ы е у с т р о й с т в а
7.5.3.1Для искробезопасного и связанного электрооборудования допускаетсяприменение полупро
водниковыхлюкоограничитвльных устройств при условии, что они подключаются к автономному ис
точнику питания постоянного тока или к цепи с сетевым трансформатором, выполненным в соот
ветствии с требованиями 8.1. а их параметры выбраны с учетом переходныхрежимов по 7.5.1. Для
искробвзопасной цепиуровня ia последовательные полупроводниковые токоограничительныеустрой
ства должны утраиваться и удовлетворять требованиям 7.1, для уровня ib — дублироваться и удов
летворять требованиям 7.1. а для уровняic — удовлетворять требованиям 7.1.
П р и м е ч а н и е — В искробезоласных цепях уровня ia допускается использование кроме блокирующих
диодов, других полупроводниковых и управляемых полупроводниковых устройств в качестве последователь
ных токоограничителей только при условии установки на выходе шунтирующих, ограничивающих
напряжение, устройств (ключей на транзисторах или тиристорах, а также стабилизаторов напряжения),
удовлетворяющих требованиям 7.1.
7.5.3.2 Параметры транзисторов, применяемых в качестве последовательных пюкоограничи-
твльных элементов, должны иметь 1,5-кратныв запасы по мощности, напряжению между коллекто
ром и эмиттером и обратному напряжению между эмиттером и базой, токам коллектора и базы. В
транзисторах эмиттер и база должны быть соединены через шунтирующийрозислюр. Знамение со
противления шунтирующегорезистора выбирают по тепловомутокупри отключенной базе транзис
тора.
26