ГОСТ Р 51901.11—2005
Т а б л и ц а 8.5.1 — Цели проекта
ВходДействие
ИСТОЧНИК
Адресат
Состояние 1: клапан
закрыт
1 Конденсатор С, заря 1 Заряд передается че
Конденсатор С, и пре
1 Напряжение на сто жен
рез транзистор Г,, диод /), образователь
роне высокого потенциала
и конденсатор С2
клапана
Характеристики:
напряжение;
емкость
2 Заряд передается чеСторона нулевого
рез транзистор Tt и резис
тенциала клапана
тор Я на землю
по2 Сторона нулевого по
тенциала клапана к зазем
лению
2 Сигналы управления3 Управление транзисСигнал с контроллераТранзисторы Г,, Г3и Г4
к транзисторам Г,, 7"3 и
Тл
торами Г, и Tt
4 Отключение транзис
тора
Т2
5 Зашита от перегрузки
транзистора 7"3
6 Изменение потока чеСторона высокого
рез диод
0 2
тенциала клапана
поПерезарядка конденса
тора
С2
Состояние 2: клапан от
крыт
1 Сторона высокого по1 Отключение конденСторона высокого поЗаземление
тенциала клапана сатора С, и преобразова тенциала клапана и кон
теля через транзистор 7
"
,
денсатора
с 2
Характеристики:
напряжение;
емкость
2 Передача заряда че
рез резистор
0 2
и транзис
тор
Т2
3 Передача заряда че
рез диоды
D3. Dt
и резис
тор Я
2 Сигналы управления
к транзисторам Г,.
Т2
и Г4
4 ИзоляциястороныСигналы с контроллера
Транзисторы Г,,
Т2
и
Тл
нулевого потенциала кла
пана через транзистор
Т4
33