Хорошие продукты и сервисы
Наш Поиск (введите запрос без опечаток)
Наш Поиск по гостам (введите запрос без опечаток)
Поиск
Поиск
Бизнес гороскоп на текущую неделю c 06.01.2025 по 12.01.2025
Открыть шифр замка из трёх цифр с ограничениями

ГОСТ 10918-82; Страница 15

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы ГОСТ 2.711-82 Единая система конструкторской документации. Схема деления изделия на составные части Unified system of design documentation. Diagram for dividing of product into components (Настоящий стандарт устанавливает правила выполнения схемы деления изделия на составные части изделий всех отраслей промышленности) ГОСТ 13047.9-2002 Никель. Кобальт. Метод определения фосфора Nickel. Cobalt. Method for determination of phosphorus (Настоящий стандарт устанавливает спектрофотометрический метод определения фосфора при массовой доле от 0,0002% до 0,005% в первичном никеле по ГОСТ 849 и кобальте по ГОСТ 123) ГОСТ 11524-82 Корпуса подшипников скольжения фланцевые с четырьмя крепежными отверстиями. Конструкция и размеры Plain bearings flange bearing bloks with four bolt holes. Design and dimensions (Настоящий стандарт распространяется на фланцевые корпуса подшипников скольжения с четырьмя крепежными отверстиями, применяемыми с втулками по ГОСТ 11525-82)
Страница 15
Страница 1 Untitled document
ГОСТ 1091382
Стр. 13
6.3.3.Диэлектрическую проницаемостьопределяютодновре
менно с измерением тангенса угла диэлектрическихпотерь по
величине емкости, измеренной на частоте 103 Гц.
6.4. Обработка результатов
6.4.1.Относительнуюдиэлектрическуюпроницаемость(в)
детали в случае применения двухэлектродной системы вычисляют
по формуле
где сх емкость образца, измеренная на приборе, пФ.
С0— межэлектродная емкость в вакууме, пФ, вычисляемая по-
формуле
Со=О,088 4 "
t щина детали, см
где 5 площадь нанесенных прямоугольных электродов, см2;
6.4.2.
тол
Относительную
.
диэлектрическую проницаемость (е) дета
ли в случае применения трехэлектродной системы вычисляют по-
формуле
где
по-
С емкость образца, измеренная на приборе, пФ;
С0межэлектродная емкость в вакууме,вычисляемая
формуле
Со=0,0695
{d + q)-
,
иохранным
t щина де али, см.
че и , полученному по показаниям прибора.
где dxдиаметр измерительного электрода, см;
q — ширина зазорамежду измерительным
электродами, см;
6.4.3.
тол
Тангенс
т
угла диэлектрических потерь, измеренный с при
менением двух- или трехэлектродной системы, принимают равным
зна
64
н
4
ю
За окончательный результат определения тангенса угла
диэлектрических потерь и относительной диэлектрическомпро
ницаемости принимают среднее арифметическое значение измере
ний каждой детали пробы.
7. ИЗМЕРЕНИЕ УДЕЛЬНОГО ОБЪЕМНОГО
ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ
и>
И УДЕЛЬНОГО ПОВЕРХНОСТНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ
(ps>
7.1. Аппаратура и материа ы
Для проведения измерения
л
применяют: