ГОСТ 30617-98
Структура условного обозначения модуля приведена на рисунке 1.
Вид климатического исполнения по ГОСТ 15150
Модификация (устанавливается при необходимости) по 4.6
Группа (группы) модуля (кроме небыстровосстанав-ливающихся диодов) по 4.5
Класс модуля по 4.4
Значение максимально допустимого тока по 4.3
Обозначение вида схемы соединения приборов по таблице 2
Обозначение прибора второго вида (при его наличии) по таблице 1 при обозначении вида схемы 1-9
Обозначение прибора первого вида по таблице 1 при обозначении вида схемы 1-9
Модули:
М - беспотенциальный; МП - потенциальный
Рисунок 1 — Структура условного обозначения модулей
При использовании в модуле приборов двух видов в обозначении вида модуля первым ставят обозначение прибора, присоединяемого к положительному потенциалу цепи, в других случаях первым ставят обозначение прибора, осуществляющего функцию управления. Обозначение приборов разделяют знаком «/» (косая черта).
Примеры условных обозначений модулей:
- силовой полупроводниковый потенциальный модуль, состоящий из тиристоров и диодов, соединенных по схеме «два полупроводниковых прибора, включенных встречно-последовательно с выводом средней точки соединенных вместе катодов», максимально допустимый ток 80 А, повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии 600 В, время выключения 63 мкс (группа СЗ), номер модификации 5, вид климатического исполнения УХЛ2 по ГОСТ 15150:
МПТ/Д4 - 80 - 6 - СЗ - 5 УХЛ2
- силовой полупроводниковый беспотенциальный модуль, состоящий из двух биполярных транзисторов Дарлингтона, соединенных по схеме «два полупроводниковых прибора, включенных последовательно (согласно) с выводом средней точки», максимально допустимый ток 40 А, максимально допустимое напряжение коллектор — эмиттер 600 В, время выключения 16 мкс (группа ТЗ), критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 50 В/мкс (группа ЕЗ), номер модификации 1, вид климатического исполнения ТЗ по ГОСТ 15150:
МТКДЗ - 40 - 6 - ТЗЕЗ - 1 ТЗ
- силовой полупроводниковый беспотенциальный модуль, состоящий из тиристоров и выполненный по однофазной мостовой схеме, максимально допустимый ток 80 А, повторяющееся им-
5