ГОСТ 30617-98; Страница 35

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы

ГОСТ 30609-98 Латуни литейные. Метод рентгенофлуоресцентного анализа ГОСТ 30609-98 Латуни литейные. Метод рентгенофлуоресцентного анализа Brass castings. Method of X-ray fluorescent analysis (Настоящий стандарт устанавливает рентгенофлуоресцентный метод количественного химического анализа проб литейных латуней на содержание элементов) ГОСТ 30620-98 Сплавы алюминиевые для производства поршней. Технические условия ГОСТ 30620-98 Сплавы алюминиевые для производства поршней. Технические условия Aluminium piston alloys. Specifications (Настоящий стандарт распространяется на сплавы алюминиевые в чушках, изготовляемые из первичных металлов, лома и отходов цветных металлов и сплавов, предназначенные для производства поршней двигателей) ГОСТ 30621-98 Кислота соляная техническая. Определение содержания мышьяка фотометрическим методом с применением диэтилдитиокарбамата серебра ГОСТ 30621-98 Кислота соляная техническая. Определение содержания мышьяка фотометрическим методом с применением диэтилдитиокарбамата серебра Hydrochloric acid for industrial use. Determination of arsenic content by silver diethyldithiocarbamate photometric method (Настоящий стандарт устанавливает метод определения содержания мышьяка с применением диэтилдитиокарбамата серебра в технической соляной кислоте)

Страница 35

ГОСТ 30617-98

ПРИЛОЖЕНИЕ Б (рекомендуемое)

Перечень электрических параметров модулей

Параметры модулей выбирают в зависимости от вида применяемых полупроводниковых приборов, устанавливают в ТУ на модули конкретных типов и выбирают из приведенных ниже:

- максимально допустимое напряжение между беспотенциальным основанием модуля и его выводами (электрическая прочность изоляции);

- тепловое сопротивление переход — среда при работе с рекомендуемым типом охладителя;

- переходное тепловое сопротивление переход — корпус (при работе с рекомендуемым типом охладителя);

- тепловое сопротивление переход — корпус;

- переходное тепловое сопротивление переход — корпус.

Дополнительно для модулей на основе диодов всех видов указывают:

- напряжение пробоя (для модулей на основе лавинных диодов);

- неповторяющееся импульсное обратное напряжение;

- повторяющееся импульсное обратное напряжение;

- импульсное прямое напряжение;

- максимально допустимый средний прямой ток;

- ударный прямой ток;

- повторяющийся импульсный обратный ток;

- время обратного восстановления (для модулей на основе быстровосстанавливающихся диодов);

- ударную обратную рассеиваемую мощность в обратном непроводящем состоянии (для модулей на основе лавинных диодов с контролируемым пробоем).

Дополнительно для модулей на основе тиристоров указывают:

- повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии;

- неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (для модулей на основе симметричных тиристоров устанавливают для обоих направлений);

- неповторяющееся импульсное обратное напряжение (для модулей на основе тиристоров, не проводящих в обратном направлении);

- обратное напряжение пробоя (только для модулей на основе лавинных тиристоров);

- средний ток в открытом состоянии;

- повторяющийся импульсный обратный ток (для модулей на основе тиристоров, не проводящих в обратном направлении);

- повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии (для модулей на основе симметричных тиристоров устанавливают для обоих направлений);

- импульсное напряжение в открытом состоянии (для модулей на основе симметричных тиристоров устанавливают для обоих направлений);

- импульсное напряжение в обратном проводящем состоянии (для модулей на основе тиристоров, проводящих в обратном направлении);

- ток удержания (кроме модулей на основе симметричных тиристоров);

- ударный ток в открытом состоянии;

- ударный ток в обратном проводящем состоянии (для модулей на основе тиристоров, проводящих в обратном направлении);

- критическую скорость нарастания тока в открытом состоянии;

- критическую скорость нарастания коммутационного напряжения (для модулей на основе тиристоров, проводящих в обратном направлении, и симметричных тиристоров);

- критическую скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (за исключением модулей на основе симметричных тиристоров);

- отпирающее постоянное напряжение управления;

- отпирающий постоянный ток управления;

- неотпирающее постоянное напряжение управления;

- время включения и задержки (для модулей на основе быстровключающихся, быстродействующих и запираемых тиристоров).

Дополнительно для модулей на основе запираемых тиристоров указывают:

- время выключения по управляющему электроду;

- неповторяющийся импульсный запираемый ток;

- повторяющийся импульсный запираемый ток;

- действующий ток в открытом состоянии;

- обратное импульсное напряжение управления;