ГОСТ 30617-98; Страница 12

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы

ГОСТ 30609-98 Латуни литейные. Метод рентгенофлуоресцентного анализа ГОСТ 30609-98 Латуни литейные. Метод рентгенофлуоресцентного анализа Brass castings. Method of X-ray fluorescent analysis (Настоящий стандарт устанавливает рентгенофлуоресцентный метод количественного химического анализа проб литейных латуней на содержание элементов) ГОСТ 30620-98 Сплавы алюминиевые для производства поршней. Технические условия ГОСТ 30620-98 Сплавы алюминиевые для производства поршней. Технические условия Aluminium piston alloys. Specifications (Настоящий стандарт распространяется на сплавы алюминиевые в чушках, изготовляемые из первичных металлов, лома и отходов цветных металлов и сплавов, предназначенные для производства поршней двигателей) ГОСТ 30621-98 Кислота соляная техническая. Определение содержания мышьяка фотометрическим методом с применением диэтилдитиокарбамата серебра ГОСТ 30621-98 Кислота соляная техническая. Определение содержания мышьяка фотометрическим методом с применением диэтилдитиокарбамата серебра Hydrochloric acid for industrial use. Determination of arsenic content by silver diethyldithiocarbamate photometric method (Настоящий стандарт устанавливает метод определения содержания мышьяка с применением диэтилдитиокарбамата серебра в технической соляной кислоте)

Страница 12

ГОСТ 30617-98

5.1.1.8 Значение критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии для модулей на основе тиристоров, в том числе запираемых, биполярных транзисторов и соответствующие им группы должны соответствовать приведенным в таблице 9.

Таблица 9

Наименование параметра	Значение для группы
	0	РЗ	ЕЗ	АЗ	Р2	К2	Е2	А2	Т1	Р1	М1
	0	1	2	З	4	5	6	7	8	-	9
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, В/мкс, не менее	Не нормируется, но не менее 10 В/мкс	20	50	100	200	320	500	1000	1600	2000	2500

5.1.1.9 Значение критической скорости нарастания коммутационного напряжения для модулей на основе симметричных тиристоров и соответствующие им группы должны соответствовать приведенным в таблице 10.

Таблица 10

Наименование параметра	Значение для группы
	0	М4	Н4	Е4	С4	А4	ТЗ	МЗ	ЕЗ	АЗ	Р2	К2	Е2	С2	В2	А2
	0	1	2	-	З	4	5	6	7	8	9	-	-	-	-	-
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения в закрытом состоянии, В/мкс, не менее	Не нормируется, но не менее 1 В/мкс	2,5	4	5	6,3	10	16	25	50	100	200	320	500	630	800	1000

5.1.1.10 Номенклатуру и значения параметров и характеристик модулей устанавливают в ТУ на модули конкретных типов в соответствии со стандартами на предельно допустимые параметры и характеристики приборов, входящих в модуль. Рекомендуемый перечень параметров в зависимости от примененных полупроводниковых приборов приведен в приложении Б.

5.1.1.11 Значение температуры, при которой устанавливают максимально допустимые значения параметров, указывают в ТУ на модули конкретных типов.

5.1.1.12 Сопротивление изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами должно быть не менее 50 МОм в нормальных климатических условиях испытаний по ГОСТ 15150 и не менее 5 МОм — при воздействии верхнего значения температуры окружающей среды и верхнего значения относительной влажности воздуха.

Сопротивление изоляции между основными и управляющими выводами модулей, содержащих оптотиристоры, должно быть не менее 1000 МОм в нормальных климатических условиях испытаний по ГОСТ 15150 и не менее 100 МОм — в условиях воздействия верхнего значения температуры окружающей среды и верхнего значения относительной влажности воздуха.