С 10 ГОСТ 2 7 т -а д (МЭК 544.1—77)
Поскольку поглощенная доза стала основной для сравнения эф
фектов от различных видов ионизирующих излучений, стало не
обходимо проводить оценку поглощенной дозы в материале, под
верженном облучению. Экспозиция, измеренная в свободном воз
духе вместо образца, может быть использована как промежуточ
ная информация, которая позволяет произвести расчет поглощен
ной дозы. Ниже приведены формулы, которые следует использо
вать при расчете. В табл. 1 и 2 приведены цифровые данные.
12.2. В табл. 1 приведены значения /< (поглощенная доза в
рад на единицу экспозиции в рентгенах) для энергии фотонов
между 0,1 и 3,0 МэВ для перечисленных элементов (см. в при
ложении С отклонения от значений /<). Значения /,■ будут спра
ведливыми лишь в условиях равновесия заряженных частиц (см.
приложение В).
12.3. Поглощенную дозу на единицу экспозиции для любого
материала с известным композиционным составом можно рас
считать, пользуясь методикой, приведенной ниже.
12.3.1. Определить долю массы элементов в материале.
12.3.2. Из табл. 1 получить значения Л для элементов в ма
териале для данной энергии фотонов.
12.3.3. Подставить эти значения и соответствующие доли мас
сы в следующее уравнение для /т
где /т — отношение поглощенной дозы к экспозиционной в мате
риале, рад/Р;
а,--доля массы элемента в материале;
/,— поглощенная дозана единицу экспозиционной дозы
для элемента.
12.3.4. Для получения поглощенной материалом дозы значе ние,
полученное для следует умножить на экспозицию а рент
генах (полученную в результате ее измерения). Таким образом,
От —
12.4. Предположим, например, что требуется произвести рас
чет поглощенной дозы политеграфторэтиленовой (ПТФЭ) плен
кой, соответствующей облучению 10’ Р фотонами с энергией
1 МэВ, причем экспозиция определялась с использованием воз
душной ионизационной камерыс толщинойстенок,гаранти
рующей «равновесие заряженных частиц». Ссылкав приложе
нии В (см. н. В 1.2) указывает на необходимость использования
поглотителя (стенки камеры) толщиной 0,50 см из материала с
плотностью электронов порядка 3,3X10*’ э/сы3 или 0.22 см мате
риала с плотностью электронов 7.6Х1033 э/см\ или соответст
вующих сочетаний толщины и плотности дляполучения экви
валентного результата.
10