С. 8 ГОСТ 9.71Р—91
)
нению оптической плотности плоского образцаматериала мето
дом инфракрасной спектроскопии.
Метод используют в тех случаях, когда невозможно подобрать
селективныйрастворитель для экстрагирования пластификатора
из измельченного образца материала.
2.1. Об ра з цы для испытаний
2.1.1. Образцы представляют собой пластины размерами (35Х
X 15) 2:0,5 мм и толщиной (0,5±0,1) мм.
Образцы группируют парами равной толщины для проведения
одного испытания по определению их оптической плотности. Ко
личество пар параллельных образцов устанавливают в соответст вии
с п. 1.5.2.
2.2. Аппаратура.Ма т е р иа л ы.Реактивы.
Спектрофотометр инфракрасный любой конструкции, обеспечи
вающий получение спектров поглощения в отраженном и проходя
щем свете при частоте от 400 до 4000 см~‘. Приставка для иссле
дования многократного нарушенного полного внутреннего отраже
ния при ИК спектроскопии;
пинцет медицинский по ГОСТ 21241:
вата хлопчатобумажная для оптической промышленности;
эфир диэтиловый ч.д.а.;
спирт этиловый по ГОСТ 5962.
2.3. По д г о т о в как испытаниям
2.3.1. Изготовляют семь стандартных композицийпластифи
цированного материалапо технологии, установленной для изго
товления исследуемого материала, в количестве (1±0,1) кг. В чис
ле стандартных хомпоэнций с содержанием пластификатора
(Р})
ДОЛЖНЫ
быть
КОМПОЗИЦИИ С
минимально
ВОЗМОЖНЫМИ
(
Pmln
и
максимально возможными (Ргаях) содержаниями пластификатора,
а также промежуточные композиции с градацией содержания в
них пластификатора (в процентах), вычисляемой по формуле
.100Н,
О
2.3.2. Из стандартных композиций пласгифииироваиного мате
риала, полученных по п. 2.3.1, изготавливают образцы. Размеры и
количество пар параллельных образцов каждой из композиций
берут в соответствии с требованиями и. 2.1.1.
2.4. Пр о в е де ние испытаний
2.4.1. Образцы очищают тампоном,омоченнымв этиловом
спирте, измеряют толщину каждого из параллельных образцов с
погрешностью не более rfcO.Ol мм.
2.4.2. Очищают кристалл приставки ватным тампоном, смочен
ным днэтиловым эфиром.
2.4.3. На каждую из сторон кристалла накладывают по одному
образцу стандартных ,композиций, прижимают их к кристаллу с