ГОСТ Р 51317.4.3—2006
мого полядолжен находитьсяна высотене менее0.8 мнад пластинойзаземления. По возможности ИТС
размещают на этой высоте.
Для установления жесткости испытаний вслучае, если ИТС исоединительные кабели размещены
не на высоте 0.8 м. ав непосредственнойблизостик пластине заземления, а также в случав, еслиразме
ры стороны ИТС превышают 1,5 х 1.5 м, напряженность испытательного поля должна быть дополни
тельно зафиксирована в четырех точках плоскости однородного поля: на высоте 0,4 м над
пластиной заземления и в точках, совпадающих с максимальными высотой и поперечными
размерами ИТС. Результаты дополнительных измерений указывают в протоколе испытаний.
Из-за отражений от пола в полубезэховой камере трудно установить однородное испытательное
поле вблизи пластины заземления. Для решения этой проблемы размещают на пластине заземления
дополнительный радиопоглощающий материал (см. рисунок 2).
Измерение напряженности поля в плоскости однородного поля проводят в точках измерительной
сетки, разнесенных друг от друга на расстояние 0,5 м (см. рисунок 4. представляющий собой пример
плоскости однородного поля размерами 1,5 х 1,5 м).
Испытательное поле считают однородным, если его напряженность, измеряемая в плоскости
однородного поля для 75 %поверхности (например в 12точках измерения из 16 для плоскости однород
ного поля размерами 1,5 х 1,5 м), находится в пределах от 0 дБ до плюс 6дБ отзаданногозначения. Для
минимальных размеровплоскости однородногополя0,5 х 0,5 мотклонения измеренной напряженности
поля в четырех точках калибровочной сетки от заданной величины должны быть в указанных выше
пределах.
П р и м е ч а н и е — Для различных частот а пределах указанных отклонений могут находиться результаты
измерений, полученные в различных точках измерительной сетки.
Отклонениеот 0дБдо плюс6дБустановленос тем,чтобы напряженностьполянебыланиже номи
нальной. Значение 6дБ выбрано как минимально достижимое для практически применяемых средств
испытаний.
Начастотахиспытанийменее 1ГГцдопускаютотклонениеболееплюс6 дБ. нонеболее плюс 10дБ
для 3 %частот, проверяемых при испытаниях (отклонение менее 0 дБ недопускают). При этом значения
отклоненийдолжны бытьотражены в протоколе испытаний. В случае расхождений результатов испыта
ний. полученных при различных отклонениях напряженности поля, преимущество имеют результаты
испытаний, полученные при отклонениях от 0 дБ до плюс 6 дБ.
В случаееслилицеваясторона ИТС, подвергаемая воздействию испытательногополя, имеет раз
меры более 1,5
х
1,5 м и метод полного облучения (см. 3.9) (предпочтительный метод облучения) не
может быть применен из-за отсутствия плоскости однородного полядостаточных размеров. ИТС облу
чают в серии испытаний с применением метода частичного облучения.
Для применения метода частичного облучения:
- калибровку испытательного поля допускается проводить при различных положениях излучаю
щей антенны с тем. чтобы обеспечитьпокрытие всей лицевой поверхности ИТС плоскостью однородно
го поля в серии испытаний. Испытания ИТС в этом случае следует проводить при последовательном
расположении антенны в каждом из этих положений;
- ИТС допускается перемещать при испытаниях так, чтобы каждая часть еголицевой поверхности
находилась в пределах плоскости однородного поля во время, как минимум, одного из испытаний.
П р и м е ч а н и е — При размещении антенны в каждом из выбранных положений должна быть проведена
полная калибровка испытательного поля.
Требованияк плоскостиоднородного поля иприменимостиметодовполногооблучения, частично
го облучения и независимых окон приведены в таблице 2.
Т а б л и ц а 2 — Требования к плоскости однородного поля и применимости методов полного облучения, частич
ного облучения и независимых окон
Требования к размерам и калибровке плоскости однородного поля
Частота
испытаний
Лицевая сторона ИТС попиостыо покрыта
плоскостью однородного поля (предпочтительный
метод полного облучения)
Лицевая сторона ИТС не покрыта полностью
плоскостью однородного попя (альтернативные
методы частичного облучения и независимых окон)
Не более
1 ГГц
М иним альны е разм еры плоскости од норо д
ного поля долж ны бы ть 0.5 х 0.5 м.
П рим еняется м етод частичного облучения.
7