С. 4 ГОСТ 27196.1—S7 (МЭК 377-1—73)
2.1.Комплексная относительная диэлектрическаяпроницае
мость ег*
Комплексная относительная диэлектрическаяпроницаемость
к,* диэлектрических материалов выражается формулой
где С ,"—комплексная емкость малого1 конденсатора, а котором
пространство между электродами и вокруг них запол
нено только рассматриваемым диэлектрическим мате
риалом;
С„ — емкость электродов той же конфигурации в абсолют
ном вакууме.
П р и м е ч а н и е .Комплексную емкость конденсатора определяют по
формуле
J«У**"•Gx-\ j шСх,
переменном
упомянутого
где О — действительная часть (активная проводимость при
токе);
j«eCx — мнимая часть комплексной полной проводимости Y*x
конденсатора.
Когда длина волн приложенного электромагнитного поля с по
вышением частоты достигает размеров используемогообразна,
нельзя больше не учитывать изменения параметров электричес
кого (и магнитного) поля. Поэтому для правильной интерпрета
ции данных измерения переходят от анализацепей с сосредо
точенными параметрами к волновому анализуи теориипере
дающих линий. Это повышает чувствительность результатов из
мерений к неоднородности и анизотропии образцов. Из сказан
ного следует, что относительнаякомплексная диэлектрическая
проницаемость с,* диэлектрических материалов пропорциональ
на квадрату отношения комплексной постоянной распространения
Y=“a-f /р электромагнитной волны в диэлектрическомматериале
к величине vo“ /fb в абсолютном вакууме:
(2>
где Ло — длина волны в свободном пространстве, а
Х<— критическая длина волны используемого типа.
Примечания:
1. У плоских поли или волн tuna ТЕМ
2. Относительная диэлектрическая проницаемость сухого воздуха, свобод
ного от
двуокиси
углерода, при 293К и нормальном атмосферном давлении
равна 1.00057. так что практически для определения относительной диэлскт-
Малого по сравнению с длиной коллы г. ..пск-мунке.