ГОСТ F 25645.338-96
4.5 Остаточное давление в испытательной камере должно быть в
диапазоне К)-3 * 10~4 Па.
4.6 Температура образца материала должна поддерживаться в
диапазоне 170+420 К и определяться требованиями ТЗ.
4.7 Вкачестве источников ВУФ следует применять водородные и
дейтериевые разрядные лампы (например типов ДВС и ДДС. ВМФ-
25). а также аналогичные лампы с гелиевым заполнителем.
Допускается применять:
- резонансные газонаполненные лампы типа КрР (криптон, X=
123,6 нм). КсР (ксенон, X= 147 нм) и ЛГВ (водород, X= 121,6 нм);
- газоструйные источники типа ГИС;
- синхротронное излучение.
При использовании источников типа ГИС и синхротронного
излучения необходимо обеспечить фильтрацию потока ВУФ от со
путствующих заряженных частиц, нейтральных молекул н атомов
(например путем дифференциальной откачки газового тракта источ
ника излучения).
4.8 При применении окон для ввода пучка излучения они должны
выполняться из материалов, прозрачных в области ВУФ, например
фтористого лития или дифторида магния.
4.9 Основные требования к источникам ВУФ:
- стабильность потока ВУФ не хуже ±15 % за период испытаний
в отсутствие мониторирования;
- облученность в месте расположения образца материала —не
менее 0,1 Вт/мм2;
- равномерность облучения образца —не хуже ±15 %.
4.10 Основные требования к вакуумному оборудованию:
- испытательная вакуумная камера должна быть изготовлена из
материалов, пригодных для работы в высоком вакууме. В этих целях
могут использоваться нержавеющая сталь, неорганические стекла и
керамика;
- температура стенок камеры должна быть ниже температуры
образца (или подложки). С этой целью в камере должны быть
криогенные экраны либо двойная стенка с зазором для охлаждения;
- необходимо постоянно контролировать состав газовой атмосфе ры
в камере по содержанию органических примесей: во избежание
влияния этих примесей на результаты испытаний рекомендуется
периодически проводить обезгаживание внутренних поверхностей
6