ГОСТ Р 50267.41-2001
50.102.1.3 Проводимые испытания
a) ЦЕНТРАЛЬНАЯ ОСВЕЩЕННОСТЬ
Максимальная освещенность, измеряемая в ЦЕНТРЕ СВЕТОВОГО ПОЛЯ (ЦСП) (рисунок 105).
b
) ДИАМЕТР СВЕТОВОГО ПОЛЯ </|0
Среднее значение dдля dHI определяют по результатам измерений в четырех поперечных
сечениях через ЦЕНТР СВЕТОВОГО ПОЛЯ (ЦСП) (рисунок 106).
c) Диаметр diu
Среднее значение </ср лдя </5„ определяют по результатам измерений в четырех поперечных
сечениях через ЦЕНТР СВЕТОВОГО ПОЛЯ (ЦСП) (рисунок 106).
d) Остаточная освещенность с одной маской»
Освещенность, измеряемая в ЦЕНТРЕ СВЕТОВОГО ПОЛЯ (ЦСП) (рисунок 107). когда на
пути луча имеется одна маска, и выражаемая как процентное отношение к ЦЕНТРАЛЬНОЙ
ОСВЕЩЕННОСТИ.
e) Остаточная освещенность с двумя масками
Среднее результатов четырех измерений освещенности, проведенных в ЦЕНТРЕ СВЕТОВОГО
ПОЛЯ (ЦСП) с двумя масками в четырех последовательных позициях, отстоящих друг от друга на
45’, без какого-либо перемещения как испытуемого ИЗДЕЛИЯ, так и фотометрической головки в
ходе испытания на освещенность (рисунки 108 и 109).
Среднее результатов указанных измерений выражают как процентное отношение к ЦЕНТ
РАЛЬНОЙ ОСВЕЩЕННОСТИ.
0 Остаточная освещенность с трубкой
Трубку, высота и диаметр которой определены на рисунке ПО, располагают около фотомет
рической головки в ЦЕНТРЕ СВЕТОВОГО ПОЛЯ (ЦСП). Ее внутренняя поверхность должна быть
матовой и текстурированной во избежание отражений рассеивания. Пример такой поверхности
приведен на рисунке 111.
Остаточную освещенность выражают как процентное отношение к ЦЕНТРАЛЬНОЙ ОСВЕ
ЩЕННОСТИ.
g) Остаточная освещенность с трубкой и одной маской
Те же условия, что и в перечислении 0» но с добавлением одной маски (рисунок 112).
Остаточную освещенность выражают как процентное отношение к ЦЕНТРАЛЬНОЙ ОСВЕ
ЩЕННОСТИ.
h) Остаточная освещенность с трубкой и двумя масками
Те же условия, что и в перечислении 0. но с добавлением двух масок (см. рисунок 113).
Среднее результатов четырех измерений освещенности, проведенных в ЦЕНТРЕ СВЕТОВОГО
ПОЛЯ (ЦСП) с парой масок в четырех последовательных позициях, отстоящих друг от друга на 45*
(рисунок 114) без какого-либо перемещения как испытуемого ИЗДЕЛИЯ, так и фотометрической
головки в ходе испытания на освещенность.
Среднее результатов указанных измерений выражают как процентное отношение к ЦЕНТ
РАЛЬНОЙ ОСВЕЩЕННОСТИ.
i) ГЛУБИНА ОСВЕЩЕНИЯ
ИЗДЕЛИЕ устанавливают на расстоянии 1 м от поверхности, на которой измеряют ЦЕНТ
РАЛЬНУЮ ОСВЕЩЕННОСТЬ. Из этого положения фотометрическую головку перемещают
вверх и вниз вдоль вертикальной линии, проходящей через ЦЕНТР СВЕТОВОГО ПОЛЯ, до тех
пор. пока освещенность не достигнет 20 % предыдущей ЦЕНТРАЛЬНОЙ ОСВЕЩЕННОСТИ.
Расстояние между верхней и нижней точками измерений дает ГЛУБИНУ ОСВЕЩЕНИЯ (рису
нок 115).
*50.102.2 Спектральные характеристики
50.102.2.1 Общие требования
Эмиссионный спектр ИЗДЕЛИЯ, ассоциируемый с высоким уровнем освещенности, должен
быть таким, чтобы можно было провести дифференциацию тканей. В данном случае индекс
цветопередачи /?, (МКО 13.3) должен находиться между 85 и 100.
Цветовая температура Те излучаемой радиации должна находиться между 3000 и 6700 К. когда
ИЗДЕЛИЕ установлено на получение максимальной освещенности для точной передачи цветовых
оттенков оперативного поля.
Соответствие требованиям проверяет испытанием.
11 Маска —матовый круглый черный диск.
10