ГОСТ Р 57435—2017
5 подложка (микросхемы): Несущая конструкция, в объеме или на поверхности
которой формируют элементы, межэлементные и межкомпонентные соединения,
контактные площадки и монтируют компоненты.
6 пластина (микросхемы): Заготовка из полупроводникового материала, пред
назначеннаядля изготовления полупроводниковых микросхем.
7 контактная площадка (микросхемы): Металлизированныйучастокна подлож
ке или кристалле, основании корпуса, предназначенный для присоединения
элементов и кристаллов к выводам микросхемы или для контроля электрических
параметров.
8 корпус (микросхемы): Совокупность сборочныхединиц и(или)деталей, пред
назначенныхдляобеспечениязащиты микросхемы от внешних воздействий, обес
печениятеплопередачи, а такжедляорганизацииэлектрическихсвязейэлементов
и (или) компонентов с внешними электрическими цепями.
9 полупроводниковая микросхема: Микросхема, все элементы и межэле
ментные соединения которой выполнены в объеме и (или) на поверхности крис
талла.
10 гибридная микросхема: Микросхема, содержащая компоненты или совокуп
ностькомпонентов иэлементов.
11 многокристальный модуль: Гибридная микросхема, состоящая из двух или
более полупроводниковых микросхем в бескорпусном исполнении, смонтирован
ных в общий корпус.
12 пленочная микросхема: Микросхема, все элементы которой выполнены в
виде пленокна поверхности подложки.
13 аналоговая микросхема: Микросхема, предназначенная для преобразова
ния и(или)обработки сигналов, изменяющихся позаконунепрерывной или преры
вистой функции.
14 цифровая микросхема: Микросхема, предназначенная для преобразования
и (или) обработки сигналов, изменяющихся по законудискретной функции.
15 бескорпусная микросхема: Микросхема, конструктивно выполненная в виде
кристалла (или совокупности кристаллов, сформированных на пластине без раз
деления), с выводами или с контактными площадками, предназначенная для
монтажа в корпусилидругие сборочные единицы.
16 базовый кристалл (микросхемы), БК: Часть полупроводниковой пластины с
определенным набором сформированных электрически соединенных или несое
диненных между собой элементов или стандартных ячеек, используемая для
создания микросхем заданного функционального назначения путем изготовления
межэлементных соединений.
17 базовый матричный кристалл (микросхемы), БМК: Базовый кристалл с
регулярным расположением сформированных в нем элементов и (или) узлов.
18 микросхема общего применения: Микросхема, разработаннаядля примене
ния в различных видах радиоэлектронной аппаратуры.
19 специализированная микросхема: Микросхема, разработанная по конкрет
ному заказу или разработанная потребителем для применения в конкретной
радиоэлектроннойаппаратуре.
20 микросхема К-степени интеграции: Микросхема, содержащая от (1 +10 к_1)
до 10кэлементов включительно.
21 степень интеграции (микросхемы): Показатель степени сложности микрос
хемы. характеризуемый числом содержащихся в ней элементов.
П р и м е ч а н и е — Степень интеграции полупроводниковой микросхемы определяют по
формуле: К= IgN.
где К — коэффициент, определяющий степень интеграции, значение которого округляют
до ближайшего большего целого числа:
N — число элементов микросхемы.
substrate
wafer
bonding pad
package;
case
monolithic integra
ted circuit
hybrid circuit
multichip module
filmintegrated
circuit
linearintegrated
circuit
digitalintegrated
circuit
known good die
gate array
Application Speci
fic
Integrated Circuit;
ASIC
П р и м е ч а н и е — Специализированные микросхемы разрабатывают, как правило,
с участием потребителя.
2