ГОСТ Р 56528—2015
| Ии/|ияггггца«оа та&шз и
31
иггор—нга ала^троста-пгиквс») о&гг»а*и<и наКА |
Закон идентификацииIОценки у]хмиай onвеноста ЭСР|
Парамапры разрядовНормальные
Опоыо
Кризисные
IГ>1000
м и В к т
I 1/<1Л
10 < Г< 100
Т < ^
1<У<10i/>1U
Прогноз ЭСР
|Нет
5-20 мин
1
-В
НИН
Индикация
Рисунок В.12
В.5 Пример оснащения стенда для исследования эффектов электризации
В.5.1 Экспериментальные исследования электризации проводят на макетах узлов КА.
На рисунке В.13 показана схема электровакуумного стенда (ЭВС)для имитации электризации с помощью
электронной пушки с моноэнергетическим спектром и регулируемой энергией пучка в диапазоне Е - 10—50 кэВ.
Результаты этих испытаний имеют оценочный характер, но метод эквивалентных нагрузок (см. В.4)лозволяет при
менять их для решения различных задач.
В.5.2 Эффекты электризации макета прибора (узла), закрытого матами ЭВТИ (см. рисунок В.6). можно
исследовать на стенде методом эквивалентных нагрузок. Для этого макет облучают имитационным пучком частиц
при снятом защитном слое ЭВТИ. При подготовке модели дпя облучения на ЭВС необходимо учесть также условия
контакта металлизированных поверхностей матов с диэлектриками, которые могут существенно повлиять на
конкретный характер искрения. Для имитации условий контактов можно использовать наклейки полосок из тонкой
фольги {«< 10 мкм)и голый микропровод. Примеры эффектов электризации диэлектриков с металлизацией пока
заны на рисунке В.14.
Слои кабельной изоляции (толщиной более 0,5 мм) с редкой сеткой экрана искрят на оплетку с откликом на
центральную сигнальную жилу U < 1В. Поэтому для диэлектриков типа пластин (1—5 мм и более), например, элек
тронагревателей. условия искрения диэлектрика под матами ЭВТИ можно имитировать с помощью металлизиро
ванной редкой сеткой ткани или тонкой металлизированной пленки.
Электроны с энергией £ - 20—30 кэВ могут проникать сквозь редкую ткань с тонкой крупной сеткой и метал
лизацией или микронную пленку диэлектрика с металлизацией. Вспышки разрядов под тканью (рисунок В.14а)) и
прилипание пленки к заряженному диэлектрику после облучения (рисунки В.146. в)) также подтверждают возмож
ность зарядки и искрения диэлектриков под ЭВТИ. Следует отметить, что вследствие вероятностного характера
пути прохождения (торможения), зависимость проникающей способности частиц дается математическим ожида
нием. т. е. задерживаются не все частицы, что характеризует слабую защитную способность экранов ЭВТИ от
электронов такого типа, но при этом экраны практически полностью задерживают радиоизлучение от разрядов.
17