ГОСТ Р МЭК 61988-1—2015
Примечание — Строчный электрод исторически расположен в горизонтальном направлении. Когда па
нель ориентирована на портретное изображение, строчный электрод становится вертикальным. См. определение
термина 3.52 — электрод-столбец.
3.209 пескоструйная обработка (sandblasting), производственный процесс обработки поверхно
сти мелкими частицами, аналогичными песку.
Примечание — Этот процесс используют для формирования поверхностей трехмерных объектов в па
нелях или канавок в листе. Этот процесс используют при производстве PDP для формирования разделительных
перегородок.
3.210 смещение сканирования.
Vbscan
(scan bias.
Vbscan
): Общее напряжение, подаваемое на
все сканирующие электроды при адресации.
3.211 сканирующий электрод (scan electrode): Электрод, который одновременно адресует одну
строку пикселей и также поддерживает ее.
3.212 сканирующий импульс/импульс сканирования/импульс развертки (scan pulse): Им
пульс нарастающего напряжения, подаваемый на сканирующий электрод, который выбирает строку
субпикселей в заранее определенном порядке за счет поддержания разрядов адресации.
3.213 напряжение сканирования/напряжение развертки,
Vscan
(scan voltage.
Vscan):
Амплиту
да импульсов напряжения, подаваемых на сканирующий электрод при адресации (без учета сканиру
ющего смещения).
3.214 дефект в виде царапины (scratch defect): Оптический дефект в прозрачной подложке, име
ющий размер и вид царапины.
3.215 площадь экрана (screen area): Максимальная площадь воспроизведения изображения
устройства.
Примечание — Иногда ее также называют активной площадью.
3.216 высота экрана,
V
(screen height.
V
): Высота площади экрана.
3.217 ширина экрана,
Н
(screen width.
Н):
Ширина площади экрана.
3.218 запаивание/спай (seal): Соединение между передней и задней пластинами, при котором
формируется герметичное соединение для наполнения газом.
3.219 герметизация (sealing): Процесс создания герметичного соединения пластин.
Примечание — Это может быть высокотемпературный процесс, при котором фритта (припойное стекло)
размягчается для создания соединения передней и задней пластин.
3.220 вторичная эмиссия электронов (secondary electron emission): Процесс, при котором заря
женные частицы (электроны или ионы) сталкиваются с поверхностью и создают свободные электроны.
3.221 самостирание (self erase): Процесс, при котором сигнал может выключить ячейку, которая
была разряжена.
Примечание — Это может происходить, когда настенный заряд в конце разрядного цикла будет доста
точно большим и может инициировать побочный разряд, который стирает настенный заряд.
3.222 установка, сброс/обнуленио (setup, reset): Процесс, инициирующий и устанавливающий
настенное напряжение на строго определенный уровень при адресации.
3.223 сигнал установки, сигнал обнуления (setup waveform, reset waveform): Сигнал, иниции
рующий и устанавливающий настенное напряжение на строго определенный уровень при операции
адресации.
3.224 PDP на одной подложко (single substrate PDP): PDP с поверхностным разрядом.
3.225 зеркальное отражение (specular reflection): Отражение в соответствии с законами геоме
трической оптики, без диффузии.
3.226 статический запас (static margin): Статический запас горения.
3.227 статический запас горения,
AVss
(static sustain margin,
AVss):
Разность между напряже
нием первого выключения и напряжением первого включения при выключении операции адресации.
Примечание — Измеряется путем наблюдения состояний панели или группы ячеек при увеличении и
уменьшении напряжения горения. См. определение термина 3.245 — запас горения.
5
3.228 статистическая задержка,
f
(statistical delay. fs): Время создания единичной инициирующей
частицы, которая инициирует первую лавину процесса разряда, связанного с формативной задержкой.
14