ГОСТ Р 56542-2015
3.2.3.12 люминесцентный метод Метод нераэрушающего контроля, основанный на регистрации
контраста люминесцирующего видимым излучением следа на фоне поверхности контролируемого объ
екта в длинноволновом ультрафиолетовом излучении.
3.2.3.13 люминесцентно-цветной метод: Метод неразрушающего контроля, основанный на
регистрации контраста цветного или люминесцирующего индикаторного следа на фоне поверхности
контролируемого объекта в видимом или длинноволновом ультрафиолетовом излучении.
3.2.3.14 магнитографический метод: Метод нераэрушающего контроля, основанный на регистра
ции магнитных полей рассеяния с использованием в качество индикатора ферромагнитной пленки.
3.2.3.15 магнитопорошковый метод: Метод неразрушающего контроля, основанный на анализе
магнитных полей рассеяния с использованием в качестве индикатора ферромагнитного порошка или
магнитной суспензии.
3.2.3.16 магниторезисторный метод: Метод неразрушающего контроля, основанный на регистра
ции магнитных полей рассеяния магниторезисторами.
3.2.3.17 манометрический метод: Метод неразрушающего контроля, основанный на регистрации
изменения показаний вакуумметра, обусловленного проникновением воздуха или пробного вещества
через сквозные дефекты контролируемого объекта.
3.2.3.18 масс-спектрометричоский метод. Метод неразрушающего контроля, основанный на
регистрации ионов пробного газа, проникающего чорез сквозные дефекты контролируемого объекта.
3.2.3.19 метод вторичных электронов: Метод неразрушающего контроля, основанный на
регистрации потока высокоэнергетических вторичных электронов, образованного в результате взаимо
действия проникающего излучения с контролируемым объектом.
3.2.3.20 метод высокочастотного разряда: Метод неразрушающего контроля, основанный на
регистрации проникновения воздуха или пробного газа по возбуждению разряда в вакууме или на лока
лизации искрового разряда в зоне сквозного дефекта контролируемого объекта.
3.2.3.21 метод жидких кристаллов: Метод неразрушающего контроля, основанный на регистра
ции распределения температуры по поверхности контролируемого изделия с помощью термоиндикато
ров на основе жидких кристаллов.
3.2.3.22 метод контактной разности потенциалов: Метод неразрушающего контроля, основан
ный на регистрации контактной разности потенциалов.
3.2.3.23 метод остаточных устойчивых деформаций: Метод неразрушающего контроля, осно
ванный на регистрации остаточных деформаций эластичных покрытий в месте течи.
3.2.3.24 метод рекомбинационного излучения. Метод неразрушающего контроля, основанный
на регистрации рекомбинационного излучения р—п переходов при прямом и обратном их смещении.
3.2.3.25 метод термобумаг: Метод неразрушающего контроля, основанный на регистрации тем
пературы по поверхности контролируемого объекта с помощью необратимых термоиндикаторов, пред
ставляющих собой черную бумагу с термочувствительным слоем, плавящимся при определенной тем
пературе. в результате чего обнажается черная контрастная основа.
3.2.3.26 метод термозависимых параметров: Метод неразрушающего контроля, основанный на
изменении температуры контролируемого объекта с помощью его термозависимых параметров (сопро
тивления. емкости и т. п.).
3.2.3.27 метод термокрасок: Метод неразрушающего контроля, основанный на регистрации рас
пределения температуры по поверхности объекта с помощью химических красок, изменяющих цвет под
действием тепловой энергии контролируемого объекта.
3.2.3.28 метод термолюминофоров: Метод неразрушающего контроля, основанный на регистра
ции распределения температуры по поверхности контролируемого объекта с помощью люминофоров,
наносимых на контролируемую поверхность и изменяющих яркость свечения в зависимости от темпе
ратуры.
3.2.3.29 метод фильтрующихся частиц: Метод неразрушающего контроля, основанный на
регистрации контраста скопления отфильтрованных частиц (люминесцентных, цветных, люминесцент
но-цветных) на фоне поверхности контролируемого объекта.
3.2.3.30 метод фотоуправляемых полупроводниковых частиц: Метод неразрушающего
контроля, основанный на регистрации пространственной структуры СВЧ поля, взаимодействующего с
контролируемым объектом в плоскости фотоуправляемой полупроводниковой пластины, и изме
рении коэффициента отражения (прохождения) электромагнитной волны от освещенного участка
пластины.
5