17
, (Г.3)
где R — номинальное значение сопротивления замещающего элемента, Ом;
μ0 = 4π10−7 Гн/м;
γ = b/(h + b);
ε0 = 8,85·10−12 Ф/м;
ε ≈ 2 — диэлектрическая проницаемость фторопласта;
ω — круговая частота, рад/с;
ω0 — резонансная круговая частота замещающего элемента, рад/с;
ω0 = 1/, где L, С — индуктивность, Гн, емкость, Ф замещающего элемента.
Г.2 Замещающие элементы (от 10 Ом до 100 кОм)
Резистивные элементы мер выполнены в виде прямолинейного проволочного бифиляра (рисунок Г.2). В мерах 10,100 Ом между проводами бифиляра — воздух, в мерах 1,10,100 кОм между проводами — диэлектрик (плавленый кварц). Мера 10 Ом выполнена без экрана, в мерах от 100 Ом до 100 кОм резистивные элементы помещены в цилиндрический электростатический экран. Подключение мер: 10 Ом — четырехзажимное (аналогичное низкоомным мерам), от 100 Ом до 100 кОм — пятизажимное (4 вывода: U1, I1, U2, I2 и экран).
1 — резистивный элемент; 2 — диэлектрик; 3 — электростатический экран;
4 — зажим экрана; I1, I2 — токовые зажимы; U1, U2 — потенциальные зажимы
Рисунок Г.2 — Устройство высокоомного замещающего элемента
Резистивный элемент меры 10 Ом выполнен из сплава манганин (удельное сопротивление ρ ≈ 0,42 мкОм·м); 100 Ом — из сплава «терминал» (ρ ≈ 1,2 мкОм·м); 1 кОм — из сплава хровангал (ρ ≈ 1,8 мкОм·м); 10; 100 кОм — из микропровода в стеклянной изоляции (ρ ≈ 1,2 мкОм·м).
Геометрические размеры и электрические параметры мер — в соответствии с таблицей Г.2.
Таблица Г.2 — Геометрические размеры и электрические параметры замещающих элементов 10 Ом — 100 кОм
Номинальное сопротивление, Ом | Геометрические размеры, м | τ·109, с | Абсолютная погрешность Δτ·109, с |
L × 103 | a × 103 | d × 103 | D × 103 | t × 103 |
10 | 365 | 0,57 | 0,19 | — | — | 29 | ± 0,5 |
100 | 115 | 5 | 0,06 | 100 | 2 | 0,7 | ± 0,3 |
1000 | 55 | 5 | 0,016 | 100 | 2 | 0,2 | ± 0,1 |
10000 | 115 | 5 | 0,006 | 100 | 2 | -2 | ± 0,3 |
100000 | 115 | 5 | 0,002 | 100 | 2 | 2,3 | ± 0,5 |
При других геометрических размерах бифиляров электрические параметры замещающих элементов вычисляют по приведенным ниже формулам.