ГОСТ Р ИСО 5834-4— 2015
Направление среза обычно является перпендикулярным к поверхности образца или интересу
ющей поверхности.
7.2 Конфигурация исследуемого образца в спектрометре
Исследуемая пленка (срез) сначала устанавливается в спектрометре (послетого какбыл измерен
соответствующий фоновый спектр), такчтоапертура расположена на расстоянии 0,2 мм от поверхности
пленки. Последующие спектры измеряются последовательно с шагом около 0.2 мм вдоль всей ширины
пленки. Можно использовать и больший шаг, но слишком большой размер шага может привести к
потере точности профиля.
7.3 Подготовка инфракрасного спектрометра
Подготовьте инфракрасный спектрометр к измерению спектра пропускания или поглощения
тонкой пленки образца UHMWPE согласно рекомендациям производителя и условиям, описанным в
7.1.
Проведите измеренияспектров в последовательности, описанной в 7.2.
8Вычисления
8.1 Общая часть
Результаты, полученные после следующих вычислений, могут быть полезными при описании
окислительныхсвойств образца или при сравнении окислительных свойств одного образца сдругим.
8.2 Площадь пика окисления
Для каждого спектра поглощения рассчитайте общую площадь под пиком поглощения между
1650 см 1и 1850 см-1(рисунок 1. 4ох). Это площадь под пиком поглощения образца и над базисной
линией, проведенноймежду теми женачальными иконечнымиточками,а именно: 1650см-1и 1850 см-
1.
8.3 Площадь нормализованного пика
Для каждого спектра поглощения рассчитайте общую площадь под пиком поглощения между
1330 см-1 и 1396 см 1(рисунок 1, Д,огт). Это площадь под пиком поглощения образца и над базисной
линией, проведенноймежду теми же начальными иконечнымиточками, а именно: 1330см 1и1396см
1.
8.4 Индекс окисления
Длякаждогоспектрапоглощениярассчитайте величину/охпутем деления площади пикаокисления
(8.1)на площадь нормализованного пика(8.2). какпоказано на рисунке 1.
8.5 Локатор глубины
Вычислите среднее расстояние от поверхности образца (d:) для каждого спектра с соответству
ющим значением /ол,используяследующее уравнение:
d, = 0.5La+
п
Ц
,
где— размер апертуры в микрометрах в пошаговом направлении;
п
— количество шагов (инкриментов), на которое апертура сдвигается от начального положения
вдоль поверхности образца;
L
— размер шага в микрометрах.
П р и м е ч а н и е — Поглощение, записанное прибором, соответствует площади апертуры, освещенной пуч
ком ИК-изпучения. Фактор 0.5
La
в уравнении позволяет вычислить позицию центра апертуры относительно началь
ной точки или края пленки образца.
8.6 Индекс окисления поверхности образца
Рассчитайтеобразца путем вычисления средней величины индексов окисления образца (/ох)
для значений локатора глубины (d,)между 0 и3 мм.
П р и м е ч а н и е — Максимальное окисление наблюдается а ближайшем к поверхности образца слое тол
щиной 3 мм. который испытывает максимальные нагрузки при его использовании в реальном времени. Измерение
величины
lMi
является одним из способов представить окисленное состояние образца для этой существенной
области.
8.7 Общий индекс окисления образца
Рассчитайте /ох>ьобразца путем вычисления средней величины индексов окисления образца (/01),
для участкадлиной 1,5 мм в центре материала.
4