ГОСТ IEC 60825-1-2013
Т а б л и ц а 1 2 - Выбранные точки
Тип аппаратуры
Выбранная точка
Полупроводниковы е излучатели (С И Д ,
лазерны е диоды, сверхлю м инесцентны е
диоды)
Физическое располож ение элем ента
Сканируем ая эмиссия (включая сканируемы е
линейны е лазеры )
Верш ина сканирования (точка
вращ ения сканирую щ его пучка)
Линейны й лазер
Ф окальная точка (верш ина веера углов)
Вы ход волокна
Конец волокна
Полностью диф ф узны е источники
Пов ерхность рассеивателя
Д ругие
Узкое м есто пучка
П р и м е ч а н и е - Если выбранная точка расположена внутри защитного кожуха (т.е.
недоступна) и расстояние от закрытой точки доступа человека больше, чем измеренное
расстояние, указанное в таблице 1 1 , то измерения выполняют от закрытой точки доступа
человека.
9.3.3 Условия расчета протяженных источников
Для длин волн диапазона ретинальной опасности (400 - 1400 нм)
доступную эмиссию и ПДЭ при классификации следует определять при
наиболее опасном положении:
- когда выбирают значение С6больше единицы для определения ПДЭ
или
- когда предельный угол приема выбирается для определения
доступной эмиссии при сравнении с фотохимическими ретинальными
пределами.
Доступную эмиссию и ПДЭ определяют совместно (т.е. они являются
парными значениями) в разных положениях внутри пучка, и значения,
полученныепринаиболееопасномположении,используютсядля
установлениякласса аппаратуры.Это предполагает, что доступную
эмиссию (которую сравнивают с ПДЭ) и ПДЭ определяют в некотором