ГОСТ Р МЭК 60904-8— 2013
4 Измерения относительной спектральной чувствительности
Относительную спектральную чувствительность фотоэлектрических приборов измеряют с по
мощью источника излучения состоящего из набора квазимонохроматических компонент, перекры
вающих рабочий спектральный диапазон исследуемых приборов. Относительную спектральную чув
ствительность фотоэлектрических приборов определяют по результатам измерений плотности тока
короткого замыкания и освещенности на каждой из рассматриваемых длин волн эталонного фото
электрического прибора и исследуемого прибора.
П р и м е ч а н и е - В настоящем стандарте понятия -излучение» и «солнечное излучение» рассмат
ривают в широком смысле и включают, как видимую часть спектра, так и ультрафиолетовый и инфракрасный
диапазоны.
В плоскости приемного устройства исследуемого фотоэлектрического прибора и эталонного фо
тоэлектрического прибора с помощью стабилизированного источника излучения создают однородную и
равномерную освещенность. Значение показаний плотности тока короткого замыкания делят на
значение освещенности или пропорциональный параметр и изображают графически как функцию
длины волны. Если в плоскости фотоэлектрического прибора поддерживают постоянную освещен
ность. например путем изменения высоты выходной щели монохроматора при изменении длины вол ны.
относительную спектральную чувствительность определяют непосредственно при считывании
величины показаний плотности тока. Температуру исследуемого фотоэлектрического прибора и эта
лонного фотоэлектрического прибора контролируют и поддерживают ее постоянное значение.
В качестве эталонного фотоэлектрического прибора для измерения показаний освещенности
может быть использована вакуумная термопара, пироэлектрический радиометр или другой аналогич
ный приемник излучения. Может быть использован эталонный фотоэлектрический прибор, относи
тельная спектральная чувствительность которого включает требуемый спектральный диапазон. В
этом случав, относительную спектральную чувствительность исследуемого прибора
k
2S3/
рассчиты
вают по формуле
М ы - М и - Н " ,(2)
*тХ
где
kx
S
u
- относительная спектральная чувствительность эталонного фотоэлектрического при
бора на длине волны А;
I
m
ri
- плотность тока короткого замыкания эталонного фотоэлектрического прибора изме
ренная на длине волны Л;
1
- плотность тока короткого замыкания исследуемого фотоэлектрического прибора из
меренная на той же длине волны.
В процессе подготовки аппаратуры для проведения измерений необходимо:
• проверять однородность и равномерность освещенности в плоскости приемного устройства
исследуемого фотоэлектрического прибора {однородность и равномерность освещенности очень
важна, когда исследуемый фотоэлектрический прибор и эталонный фотоэлектрический прибор имеют
разные размеры):
• периодически проверять кривую спектрального коэффициента направленного пропускания
фильтров из набора фильтрового колеса;
- проверять калибровку нагрузочного резистора и контактного сопротивления;
- контролировать на каждой исследуемой длине волны линейность зависимости тока короткого
замыкания от интенсивности излучения:
• проверять, что величина сопротивления нагрузочного резистора минимальна для максималь
ного приближения к условиям режима короткого замыкания.
На рисунке А.1 и рисунке А.2 (приложение А) приведены схемы установок для измерений спек
тральной чувствительности фотоэлектрических приборов. На рисунке А.1 в качестве набора квазимо
нохроматических компонент потока монохроматического источника излучения используют монохро
матор с кварцевой призмой. В схеме установи на рисунке А.2 используют набор узкополосных фильт
ров, далее фильтровое колесо.
Примечание - В настоящем стандарте термин -монохроматический» означает узкий спек
тральный диапазон.
2