ГОСТ Р 55176.5—2012
Т аб лиц а 2 — Порты корпуса
внешнее воздействие
Полоса
частот, МГц
Оснояопо
Параметры испытанийлатающий
стандарт
Критерий
качества
ф ункцио
нирования
Электромагнитное
поле радиочастоты
с амплитудной
модуляцией
80—1000
Среднеквадратическое значение напря
женности электрического поля, немоду-
лированный сигнал. В/м10
А
Глубина амплитудной модуляции. %80
ГОСТР
51317.4.3
Частота модуляции. кГц1
Электромагнитное
поле радиочастоты,
генерируемое и из
лучаемое мобиль
ными телефонами
цифрового стандар
та связи*
800— 1000
Среднеквадратическое значение напря
женности электрического поля, немоду-
лированный сигнал. В/м20
Глубина амплитудной модуляции. %80
Частота модуляции. кГц1
1400—2100
Среднеквадратическое значение напря
женности электрического поля, немоду-
лированный сигнал. В/м10
А
Глубина амплитудной модуляции. %80
ГОСТР
51317.4.3
Частота модуляции. кГц1
2100—2500
Среднеквадратическое значение напря
женности электрического поля, немоду-
лированный сигнал. В/м5
Глубина амплитудной модуляции. %80
Частота модуляции. кГц1
Магнитное поле
частоты тока
электропитания**
0.05
Среднеквадратическое значение напря
женности магнитного поля, немодули-
рованный сигнал, системы переменного
тока. А/м100
А
0
Среднеквадратическое значение напря
женности магнитного поля, системы по
стоянного тока. А/м300
ГОСТР
01/0*40
Электростатические
разряды**’
—
Амплитуда импульсов напряжения, кон
тактный разряд,кВ±6
Д
—
Амплитуда импульсов напряжения, воз
душный разряд. кВ±8
ГОСТР
51317.4.2
О
* Испытание по п. 5.2 ГОСТ Р 51317.4.3 выполняют на рабочих частотах цифровых радиотелефонов, при
меняемых в Российской Федерации.
** Испытание применяется только к стационарным установкам и аппаратуре электроснабжения, содержа
щим устройства, чувствительные к магнитному полю, например, датчики Холла, электромагнитные микрофоны
и пр. Неэкранированные дисплеи на электронно-лучевых трубках могут создавать помехи напряженностью свы
ше 1А)’м (среднехвадратичвсков значение).
*** Применимость испытаний на контактный и^или воздушный разряд указана в соответствующем осново
полагающем стандарте.
5