С. 30 ГОСТ 20339.1- 89
ПРИЛОЖЕНИЕ I
Справочное
ТЕРМИНЫ. ПРИМЕНЯЕМЫЕ В НАСТОЯЩЕМ СТАНДАРТЕ.
И ИХ ПОЯСНЕНИЯ
Термин
П-тясиеиие
Полупроводниковый эле
мент (элемент приборе)
Силовойполупроводни
ковый модуль (модуль)
Беспотеициадьный модуль
Потенциальный модуль
Монокристалл кремния с образованным в нем
одним или несколькими p-и переходами на
термокомиенсируюшем основании
Силовой полупроводниковый прибор, состоя
щий КЗ
одного или двух дискретных силовых
полупроводниковых элементов, средств электри
ческого и механического соединений, а также
вспомогательных элементов и элементов систем
охлаждения (если они имеются).
Прим е чание .Устройства управления в
состав модуля не входят
Модуль с изолированным (беспотенци альиым1
основанием, служащим только для отвода тепла и
крепления модуля
Модуль с неизолированным (потенциальным)
основанием, служащим как для отвода тепла и
крепления модуля, так и являющимся его элект
рическим (
силовым
) контактом
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Обязательное
ОБОЗНАЧЕНИЕ ГРУПП ПРИБОРОВ В ЗАВИСИМОСТИ
ОТ ЗНАЧЕНИЯ ИХ ПАРАМЕТРОВ
Значения параметров устанавливают в соответствии с рядом R 10 по
ГОСТ 8032. Группы приборов обозначают сочетанием цифр (цифровым кодом)
или букв а цифр (буквенно-цифровым кодом), соответствующих определенному
значению параметров согласно таблице.