УДК
6 2
1.362 : 006.3.4Груг** E6S
Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы ЙС Т А Н Д A P IС О Ю З А с С Р
ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
СИЛОВЫЕ
гост
20859.1-89
Общие технические требования
Power semiconductor devices
General technical requirements
(CT СЭВ 1135—88)
СКП 34 1700
Срок действия
с 01.01.90
до 01.01.05
Несоблюдение стандарта преследуется по >акону
Настоящий стандарт распространяется на силовыеполупро
водниковые приборы обшего назначения — диоды, трнодные ти
ристоры. биполярные (в том числе составные)транзисторы, по
левые транзисторы (далее — приборы) и модули всех видов на
максимально допустимые средние, действующие, импульсные или
постоянные токи 10 А и более, предназначенные для”применения
в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также
в других пенях постоянного и переменного тока различных сило
вых электро
1
ехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на приборы и моду
ли, работающие:
1) в средах с токопроводящей пылью;
2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих ме
таллы и
изоляцию
в недопустимых пределах в течение срока служ
бы;
3) во взрывоопасной среде;
4) в условиях воздействия различных повреждающихприбо
ры и .модули излучений.
Термины, применяемые в настоящем стандарте, и их поясне
ния — по ГОСТ 15133. ГОСТ 25529, ГОСТ 20332. ГОСТ 20003 и
приложению I.
1.1.Приборы и модули должны изготавливать в соответствии
с требованиями настоящего стандарта и технических условий на
I. ТЕХНИЧЕСКИЕ ТРЕБОВАНИЯ
Итданме официальное
Перепечатка воспрещена
ig? Издательство стандартов, 1989