Хорошие продукты и сервисы
Наш Поиск (введите запрос без опечаток)
Наш Поиск по гостам (введите запрос без опечаток)
Поиск
Поиск
Бизнес гороскоп на текущую неделю c 29.12.2025 по 04.01.2026
Открыть шифр замка из трёх цифр с ограничениями
ГОСТы постранично — титульный лист ГОСТ 18986.10-74

ГОСТ 18986.10-74

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы ГОСТ 18986.1-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока ГОСТ 18986.1-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока Semiconductor diodes. Method for measuring direct reverse current (Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения постоянного обратного тока. Стандарт не распространяется на выпрямительные блоки) ГОСТ 18986.11-84 Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь ГОСТ 18986.11-84 Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь Semiconductor diodes. Total series equivalent resistance measurement methods (Настоящий стандарт распространяется на варикапы и туннельные диоды и устанавливает два метода измерения последовательного сопротивления потерь:. для варикапов, предназначенных для работы в диапазоне от 0,25 до 1000 МГц;. для туннельных диодов) ГОСТ 18986.12-74 Диоды полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода ГОСТ 18986.12-74 Диоды полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода Semiconductor tunnel diodes. Method for measuring negative conductance of the intrinsic diode (Настоящий стандарт распространяется на туннельные полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения отрицательной проводимости)

Диоды полупроводниковые

Методы измерения индуктивности Диоды полупроводниковые

Методы измерения индуктивности Semiconductor diodes

Methods for measuring inductance (Настоящий стандарт распространяется на все типы полупроводниковых диодов в корпусе, у которых индуктивность более 0,1 нГн

Стандарт устанавливает два метода измерения индуктивности диодов:

метод I
для диодов, индуктивность которых 2 нГн и более;

Страница 1Untitled document