3
(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).
3, 4. (Исключены, Изм. № 1).
5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.
Таблица 4
Наименование | Обозначение |
1. Эффект туннельный |
|
а) прямой | 
|
б) обращенный | 
|
2. Эффект лавинного пробоя: а) односторонний | 
|
б) двухсторонний 3-8. (Исключены, Изм. № 2). | 
|
9. Эффект Шоттки | 
|
6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.
Таблица 5
Наименование | Обозначение |
1. Диод |
|
Общее обозначение | 
|
2. Диод туннельный | 
|
3. Диод обращенный | 
|
4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) |
|
а) односторонний | 
|
б) двухсторонний | 
|
5. Диод теплоэлектрический | 
|
6. Варикап (диод емкостный) | 
|
7. Диод двунаправленный | 
|
8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами | 
|
8a. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами | 
|