несколько N -эмиттеров с Р-областью | 
|
коллектор с базой | 
|
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе | 
|
3. Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от Р-области к N-области и наоборот | 
|
область собственной электропроводности (I-область): l) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP | 
|
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN | 
|
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP | 
|
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN | 
|
4. Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа | 
|
обедненного типа | 
|
5. Переход PN | 
|
6. Переход NP | 
|
7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип | 
|
8. N -канал на подложке Р-типа, обедненный тип | 
|
9. Затвор изолированный | 
|
10. Исток и сток Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например: | 
|
11. Выводы полупроводниковых приборов: |
|
электрически, не соединенные с корпусом | 
|
электрически соединенные с корпусом | 
|
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку | 
|