УДК 535.215.0025.001.4:006.354Группа Е52
М Е Ж Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы ЙС Т А Н Д А Р Т
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРИБОРЫ ИЗ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО
КРЕМНИЯ
Методика коррекции но температуре и облученности результатов
измерения волы-амперной характеристики
Photovoltaic devices of crystalline silicon. Procedures for temperature and irradiance
corrections to measured current voltage characteristics
MКС 27.160
ОКСТУ 3480
ГОСТ
28976-91
(МЭК 891-87)
Дата введения 01.01.92
В настоящем стандарте представлены методики, по которым должна проводиться коррекция
по температуре и облученности результатов измерения вольт-амперной характеристики фотоэлект
рических приборов, изготовленных из кристаллического кремния.
1. ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ
В настоящем стандарте приведены методики коррекции по температуре и облученности ре
зультатов измерения вольт-амперных характеристик фотоэлектрических приборов из кристалличес
кого кремния.
Стандарт включает в себя методики для определения температурных коэффициентов, внутрен
него последовательного сопротивления и коэффициента корреляции кривой. Эти методики приме
нимы в диапазоне облученности ± 30 % уровня, при котором выполнены измерения.
П р и м с ч а н и я:
1. Настоящие методики применимы только для приборов с линейной характеристикой преобразования.
2. Фотоэлектрическими приборами называют как одиночныесолнечные элементы, так и сборочные узлы
и плоские модули.
Для оценки приборов каждоготипа используют разные параметры. Температурные коэффициенты модуля
или сборочного узла вычисляют по результатам их измерения для одиночного солнечною элемента. Внутреннее
последовательное сопротивление и коэффициент коррслиипи кривой должны измеряться отдельно для модуля
и сборочного узла.
3. Термин испытуемый образец используют для обозначения любого из этих приборов.
2. МЕТОДИКА КОРРЕКЦИИ
Измеренная вольт-амперная характеристика должна быть приведена к виду, который она будет
иметь при стандартных условиях испытаний или при других выбранных значениях температуры и
облученности. Для этой цели должны использоваться следующие формулы:
/,
Л+/«
+ а ( - Г,);
О)
У2
“
У,
-
/ад - /,) - АЭД - г,) + (J(Г, - Г,),(2)
где /,. У, —координаты точек измеренной характеристики;
/,, У2 — координаты соответствующих точек скорректированной характеристики;
!$с —измеренное значение тока короткого замыкания испытуемого образца;
1»к —измеренное значение тока короткого замыкания эталонного прибора:
Издание официальноеПерепечатка воспрещена
© Издательство стандартов, 1991
© ИГ1К Издательство стандартов. 2004