ГОСТ IEC 61643-22—2022
В условиях быстрого роста приложенного напряжения диод может создать некоторый выброс напряжения.
Такой выброс (прямое напряжение восстановления, \/frrn) может быть больше, чем прямое напряжение при высо
ком токе. В прямом смещении полярности диод имеет относительно высокую емкость. Эта емкость зависит от уров ня
сигнала и смещения постоянного тока. Если диод используется с обратным смещением, емкость уменьшается.
Сборки этих компонентов, соединенных последовательно для более высокого рабочего напряжения, также будут
иметь значительно уменьшенную емкость из-за последовательного соединения.
А.1.3.3 Лавинные пробиваемые диоды (ЛПД)
ЛПД — это обратносмещенные PN-переходы с пороговым напряжением или напряжением пробоя в диа
пазоне примерно от 7 В и выше. На большей части диапазона рабочего тока типичное напряжение на контактных
выводах ЛПД мало изменяется с током.
ЛПД обладает очень коротким временем отклика, что делает его пригодным для ограничения очень быстрых
переходных напряжений. Емкость ЛПД обратно пропорциональна напряжению пробоя, а также обратно пропорци
ональна приложенному напряжению либо от сигнала, либо от рабочего постоянного напряжения.
ДПД с одним переходом является однонаправленным. Чтобы получить реверсивный компонент, последо
вательно с первым ЛПД включают второй компонент с обратной полярностью. При любой полярности компонент
действует как лавинный ДПД последовательно с прямосмещенным диодом. Эти два компонента могут быть инте
грированы в единую структуру NPN или PNP в виде микросхемы.
А.1.3.4 Диод Зенера
Обратносмещенные PN-переходы при пробое стабилитрона имеют напряжение пробоя примерно от 2,5 до
5,0 В. В отличие от ЛПД напряжение на вводах стабилитрона значительно увеличивается с током. Такое повыше
ние может вдвое превышать напряжение пробоя.
А. 1.3.5 Диод Шоттки
Диоды Шоттки — это структуры NPN или PNP. Они используют расширение обедненного слоя централь
ной области с увеличением приложенного напряжения для достижения проводимости между областями простран
ственного заряда двух PN-переходов. Возможны напряжения пробоя величиной в 1 В. Диоды Шоттки стали
заме ной диодов Зенера с низким напряжением и низкой емкостью.
А.1.3.6 Туннельный диод
Туннельные диоды представляют собой структуры NPN или PNP, основанные на действии транзистора для
создания характеристики, ограничивающей обратное напряжение. Как только достигается напряжение пробоя, на
пряжение на выводах быстро падает с увеличением тока примерно до 60 % от напряжения пробоя. Высокие токи
приводят к повышению напряжения. По сравнению с ЛПД с тем же током пробоя следящий диод обладает более
низким ограничивающим напряжением.
Уровень возвратного сигнала зависит от напряжения пробоя. Для компонентов напряжением 10 В уровень
возвратного сигнала очень мал.
А.2 Компоненты коммутации
А.2.1 Общие сведения
Эти параллельно подключенные компоненты коммутации являются нелинейными элементами, которые
ограничивают перенапряжения, превышающие заданное напряжение, образуя путь с низким сопротивлением для
отведения тока (рисунок А.2).
Рисунок А.2 — Рабочий режим компонентов коммутации
19