ГОСТ Р 52565— 2006
Приложение И
(рекомендуемое)
Примеры схем формирования кривых ПВН
Примеры схем формирования ПВН. определяемого четырьмя параметрами, в соответствии с 9.6.5.1 при
ведены на рисунках И.1 и И.2. Примеры схем формирования ПВН. определяемого четырьмя параметрами, для
случаев, предусмотренных Э.6.5.4, приведены на рисунках И.З и И.4.
На рисунках И.1 — И.4 штрих-пунктирными линиями ообозначены схемы формирования ПВН.
Обозначения на рисунках И.1 — И.4:
LQ— индуктивность короткого замыкания схемы испытаний:
ИВ — испытуемый выключатель;
L. Ly R.С, С, — реакторы, резисторы и конденсаторы (соответственно) схем формирования ПВН.
В таблицах И.1 — И.2 приведены формулы для выбора значений элементов схем формирования ПВН.
Каждая схема дает определенное значение запаздывания ta, которое определяется, в основном, выбором зна
чения сопротивления R,. Значение ta гложет увеличиваться за счет емкости, параллельной испытуемому выклю
чателю (сумма собственной емкости испытательной установки и дополнительных конденсаторов). Емкость, обес
печивающая требуемое значение 1а. может оказывать влияние и на другие характеристики кривой ПВН. В этом
случае значения элементов схем формирования ПВН должны быть откорректированы при окончательной на
ладке схемы испытаний.
При применении формул, приведенных в таблицах И.1 — И.2. используются следующие единицы: напряже
ние — в киловольтах, ток — в килоамперах, индуктивность — в миллигенри, емкость — в микрофарадах, активное
сопротивление — в омах, скорость ПВН (S) — в киловольтах в микросекунду.
82