ГО СТ Р 57441— 2017
98 время нарастания выходного сигнала; Гмар вых (f.): Интервал времени нарастания амплитуды
выходного сигнала микросхемы от уровня 0.1 до уровня 0.9 от заданного значения.
99 время спада выходного сигнала;
fcnвых
(t,): Интервал времени убывания амплитуды выходного
сигнала микросхемы от уровня 0.9 до уровня 0.1 от заданного значения.
100 время цикла; Гц(*су): Длительностьпериодасигиаловнаодномизуправляющихвходов.втечение
которого микросхема выполняет одну из функций.
101 время цикла записи информации; tin (tCYW): Интервал времени, равный периоду сигнала на
одном из входов, в течение которого микросхема осуществляет запись информации.
102 время цикла считывания информации; tC4(*СУЯ): Интервал времени, равный периоду сигнала
на одном из входов, в течение которого микросхема осуществляет считывание информации.
103 время выборки; fo (f4): Интервал времени, измеренный на заданных уровнях, между подачей
сигнала на управляющий вход и получением на выходе сигнала информации при условии, что все
остальные необходимые сигналы поданы.
104 время установления входных сигналов; t^T{tsu): Интервал времени между началом сигнала на
заданном входе и последующим активным переходом на другом заданном входе.
105 время удержания; ^ (tH): Интервал времени, в течение которого сигнал удерживается на задан
ном входе после переключения сигнала на другом заданном входе.
106 время восстановления; fepc (tREC): Интервал времени между окончанием заданного сигнала на
выводе микросхемы и началом заданного сигнала вследующем цикле.
107 время сохранения сигнала; tcx{tv): Интервал времени, втечениекотороговыходной сигнал явля
ется достоверным или втечение которого входной сигнал должен оставаться достоверным.
108 время хранения информации; txp (fSG): Интервал времени, в течение которого микросхема в
заданном режиме хранит информацию.
109 время установления выходного напряжения;(fs): Интервал времени с момента достиже
ния выходным напряжением уровня 0.9 до момента последнего пересечения выходным напряжением
заданной величины.
110 время преобразования; Гпрб(Гс): Интервал времени от момента заданного изменения сигнала на
входе до появления на выходе соответствующего параметра сигнала.
111 время успокоения выходного напряжения; t^cnU(flo(): Интервал времени с моментадостижения
выходным импульсом прямоугольной формы уровня0.5до момента последнего пересечения выходным
напряжением микросхемы заданной величины.
112 время регенерации; fpef (tREf): Интервал времени между началом последовательных сигналов,
предназначенных для восстановления уровня в ячейке динамической памяти до его первоначального
значения.
113 длительность сигнала; т(Г№): Интервал времени между заданными уровнями при нарастании и
спаде импульса.
114 длительность сигнала низкого уровня;(/ ^ ): Интервал времени от момента перехода сигна
ла из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня до момента его перехода из состояния
низкого уровня в состояние высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.
115 длительность сигнала высокого уровня;Интервал времени от момента перехода сиг
нала из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня до момента перехода его из состояния
высокого уровня в состояние низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.
116 период следования тактовых импульсов; Гт (Гс): Интервал времени между началами или
окончаниями следующих друг за другом периодических импульсов, измеренный на заданном уровне
напряжения.
Коэффициенты
117 коэффициентусиления напряжения; Куи(Аи): Отношение приращения выходного напряжения к
приращению входного напряжения.
118 коэффициент усиления тока;(А,): Отношение приращения выходного тока к приращению
входного тока.
119 коэффициент усиления мощности; КуР (Ар): Отношение приращения выходной мощности к
приращению входной мощности.
120 коэффициент усиления синфазных входных напряжений; Ку сф (Аис): Отношение прираще
ния выходного напряжения к приращению синфазного входного напряжения.
6