ГОСТ Р 56982—2016
— Кпиыатичесздя камера—
@7Ъ*™р*тл*>кутр«
^ кшиапмасше мшры
И
Напчои
©
@
X
V
/
Нтцтт
няпркютн
Измодаюташ
Иамдаиа
темперетуры
Рисунок 2 — Стенд для испытаний защиты АБ от разряда на ФБ
В отличие от общей схемы испытательного стенда, в данном случае отсутствует переменное со
противление ЯАБсо стороны АБ и вместо имитатора ФБ или источника, имитирующего ФБ. установлено
эквивалентное постоянное сопротивление /?ФБ(Ом), имитирующее сопротивление ФБ.
Эквивалентное сопротивление ЯфБрассчитывается по выражениям (15) и (16):
N
/
я
/
испытуемый образец.
П р и м е ч а н и е — Уравнение (15) основано на типичном уравнении для определения сопротивления фо
тоэлектрических модулей на основе аморфного кремния с тройным переходом a-Si:H.
5.3.5 Стенд для определения КПД. испытаний тепловых характеристик и защиты от сверх
токов со стороны фотоэлектрической батареи
5.3.5.1 Общие положения
Схема испытательного стенда соответствует рисунку 1.
Питание со стороны фотоэлектрического устройства в соответствии с 5.3.3.1.
.
где N— расчетное количество последовательно соединенных фотоэлектрических модулей в каж
дой фотоэлектрической цепочке фотоэлектрической батареи из условия один фотоэлек
трический модуль на каждые 12 В номинального напряжения фотоэлектрической системы,
для установки в которую предназначен испытуемый образец. Предполагается, что в фото
электрическом модуле 36 фотоэлектрических элементов.
— номинальный ток контроллера заряда. А;
"л
— мощность, потребляемая сопротивлением Я?ФБ. Вт;
N
з АБ
— расчетное количество последовательно включенных элементов АБ. из условия 1 элемент
АБ на каждые 2 В номинального напряжения АБ. для применения с которой предназначен
Re,с. —1440———.(15)
ГИОМ
р
” АБ
*3
(16)
12