ГОСТ Р 52081-2003
Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й С Т А Н Д А Р ТР О С С ИЙ С К О Й Ф Е Д Е Р А Ц И И
к о т РОЛЬ НЕРАЗРУШАЮЩИЙ
Метод магнитной памяти металла.
Термины и определения
Non-destructive testing. Method of metal magnetic memory. Terms and definitions
Дата введения 2004—04—01
1 Область применения
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий п области неразрушаю-
щего метода контроля методом магнитной памяти металла.
Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах
документации и литературы п облает неразрушающего контроля методом магнитной памяти
металла, входящих в сферу работ по стандартизации и / или использующих результаты этих работ.
2 Термины и определения
1 магнитная память металла: МПМ: Последствие, которое проявляется в виде остаточной
намагниченности металла изделий и сварных соединений, сформировавшейся в процессе их
изготовления и охлаждения в слабом магнитном поте ИЛИ в виде необратимого изменения намаг
ниченности изделии в зонах концентрации напряжений и повреждений от рабочих нагрузок.
П р и м е ч а н и е —Слабое магнитное иоле —геомагнитное поле идругие внешние поля в области Рслся.
2 собственное магнитное иоле рассеяния изделия; СМПР: Магнитное пате рассеяния, возни
кающее на поверхности изделия в зонах устойчивых полос скольжения дислокаций под действием
рабочих или остаточных напряжений или в зонах максимальной неоднородности структуры металла.
Пр и м с ч а и и с —СМПР характеризует МПМ.
3 метод магнитной памяти металла; метод МПМ; Метод неразрушающего контроля, основан
ный на анализе распределения СМПР на поверхности изделий для определения зон концентрации
напряжений, дефектов и неоднородности структур металла и сварных соединений.
4 машитолислокацнонный тетерезис: Гистерезис, обусловленный закреплением доменных
границ на скоплениях дислокаций в слабом магнитном поле.
5 критический размерлокальных зон нарушения устойчивости оболочки изделия (/кр): Минималь
ное расстояние между двумя ближайшими устойчивыми паюсами скольжения слоев .металла,
возникающее при потере устойчивости оболочки изделия под действием нагрузок.
П р и м е ч а н и е - Критический размер оболочки на поверхности изделия характеризуется расстоянием
между двумя ближайшими экстремальными значениями СМПР, кратными типоразмеру оболочки.
6 напряженность СМПР: Числовая характеристика напряженности магнитного поля рассея
ния, измеренной на поверхности изделия методом магнитной памяти металла.
7 градиент СМПР: Отношение модуля разности напряженности магнитного поля рассеяния,
измеренной в двух точках контроля, к расстоянию между ними.
Издание официальное
1