ГО СТ Р ИСО/ТС 10303-1 ^40— 2015
П р и ло ж е н и е D
(с п р а в о ч н о е )
EXPRESS G диаграммы ИММ
Диаграм мы на рисунках D.1 и D .2 получены из сокращ енного ли стинга И М М на языке E X P R E S S , пр иве ден
ного в 5.2. В диаграм м ах использована граф ическая нотация E X P R E S S -G языка E X P R E S S .
В настоящ ем прилож ении приведены д в а различны х пр едставле ни я И М М д л я рассм атриваем ого пр икла д
ного м одуля:
- пр едставле ние на уровне схем отображ ает им порт конструкций, определенны х в схемах И М М др уги х при
кладны х м одулей и ли в схемах общ их ресурсов, в схем у И М М рассм атриваем ого пр икла дн о ю м о дуля с помощ ью
оператора U S E F R O M ;
- пр едставле ние на уровне объектов отображ ает конструкции на языке E X P R E S S , определенны е в схеме
И М М рассм атриваем ого прикладного м одуля, и ссы лки на им портированны е конструкции, которые конкретизиро
ваны и ли на которые имею тся ссы лки в конструкциях схемы И М М рассм атриваем ого прикладного м одуля.
П р и м е ч а н и е —О б а эти пр едставле ни я являю тся неполны м и. П р е дста вле н ие на уровне схем не ото
браж ает схем И М М м одулей, которы е им портированы косвенным образом. П р е дста вле н ие на уровне объектов не
отображ ает им портированны х конструкций, которы е не конкретизированы и ли на которые о тсутствую т ссы лки в
конструкциях схемы И М М рассм атриваем ого прикладного м одуля.
О писание E X P R E S S -G уста новлен о в И С О 10303-11. прилож ение D.
Requirement_deс ошроsifonmrn
Conductivity_material_aspectsjnm
Elemental_geometric_shape_mm
^propert\’_d?fmition_rei3tonship
_ F u n c tio n s l_ s p e cifi ca tio n_m im
^ rrta te ria l_p io p e riV _d e fm itio n _£ ch e rn a
P ro d u c tio n ru le m m
< ---------------------------= ---------= ----------
R c q u iic m c n t_ v ii\ v _ d c fin i* io n _ rc la tio iT3 lr® _ n ra n
:5t
!
4
suppon_tesource_schara
Рисунок D.1 —
П ре дста в ле н и е И М М на уровне схем в ф о рм ате E X P R E S S -G
32