ГОСТ Р МЭК 60617-DB-12М-2015
S00620
Наименование:
:
гМ
:
переход, воздействующий на полупроводниковый слой,
P-область, воздействующая на N-слой
стандарт
01.07.2001
Статус:
Введен вновь:
Ранее опубликован в:
МЭК 60617-5 (ред. 2.0) 05-01-09
Ключевые слова:
полевые транзисторы, затворы, переходы, N-слой, Р-
область, полупроводники, транзисторы
Применяемость:
S00671
Комментарии по
применению:
А00176
Класс формы:
стрелки, линии
Класс функций:
функциональные элементы или признаки
Класс применения:
принципиальные схемы
616