ГОСТ 31315-2013
51 °С и времени воздействия 24 ч в день в течение периода сроком до 60 дней.
Испытание должно проводиться в соответствии с требованиями национальных
стандартов государств упомянутых в предисловии, как проголосовавших за
принятие межгосударственного стандарта.*
6.2. Электронные пломбы должны быть полностью работоспособны после
циклического воздействия температур между + 38 °С и + 70 °С. Электронные
пломбыдолжныбытьполностьюработоспособныпослехраненияпри
температуре + 85 °С и времени воздействия от 12 до 15 ч в день в течение 60
дней.Испытаниедолжнопроводитьсявсоответствиистребованиями
национальныхстандартовгосударствупомянутыхвпредисловии,как
проголосовавших за принятие межгосударственного стандарта*.
6.3. Электронные пломбы должны быть полностью работоспособны во
время и после воздействия механического удара с ускорением ЗОд в течение 11
мс, используя полупериодный синусоидальный импульс. Испытание должно
проводитьсявсоответствиистребованияминациональныхстандартов
государств упомянутых в предисловии, как проголосовавших за принятие
межгосударственного стандарта.**
6.4. Электронные пломбы должны быть полностью работоспособны во
время и после воздействия случайной вибрации продолжительностью 2 ч по всем
осям с ускорением до Зд в диапазоне температур от - 40 °С до +70 °С. Испытание
должно проводиться методом 102-1 по ГОСТ 30630.1.2.
6.5. Оболочка электронной пломбы должна обеспечивать класс стойкости к
внешним воздействиям по ГОСТ 14254-96 (МЭК 529-89) IP65D/IP67D.
6.6. Электронные пломбы должны быть полностью работоспособны во
время и после воздействия ударной нагрузки при падении с высоты 1 м на
ударную поверхность из бетона или стали. Испытание должно проводиться в
* На территории Российской федерации действует ГОСТ Р 51368-2011 (метод 203-1).
** На территории Российской федерации действует ГОСТ Р 51371-99 (метод 104-1).
предисловии, как проголосовавших за принятие межгосударственного стандарта.*
6.7.Электронные пломбы должны выдерживать и сохранять целостность
хранящихся данных при максимальной пиковой напряженности поля 50 В/м в
8