ГОСТ Р 55893—2013
)
- входной ток высокого уровня /w;
- выходной ток низкого уровня /<х.;
- выходной ток высокого уровня /о*;
- выходной ток низкого (высокого) уровня в состоянии «Выключено»
I
ozl
( I
ozh
;
- ток потребления /сс:
- время задержки распространения при включении (выключении)
tPHL, tPlM;
- время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние высо
кого (низкого) уровня
tpzH( tpzi
);
- время задержки распространения при переходе из состояния высокого (низкого) уровня в со
стояние «Выключено»
tpHZ{ tpu)’,
- время нарастания (спада) сигнала
tR(tF)
- частоту следования импульсов тактовых сигналов /с ;
- частоту выходного сигнала /о ;
- входную емкость С,;
- выходную емкость С0 ;
- емкость входа/выхода Сш
- емкость нагрузки
C
l
.
3.2 Схемы обработки информации
К основным параметрам схем обработки информации, включая классификационные парамет
ры. в зависимости от вида микросхем и схемотехнического решения относят:
- выходное напряжение низкого уровня
U
ol
\
- выходное напряжение высокого уровня
U0ч:
- входное пороговое напряжение низкого (высокого) уровня
Un.
(
Urn);
-
входной ток низкого уровня
In’,
- входной ток высокого уровня /w;
- выходной ток низкого уровня /<х.;
-
ВЫХОДНОЙ ТОК ВЫСОКОГО
уровня
1он]
.
:
.
l
,
,
;
- выходной ток низкого (высокого) уровня в состоянии «Выключено». /оа.
(102и):
- ток утечки низкого (высокого) уровня на входе /т (/iAH);
- ток потребления
1сс<
- ток потребления динамический
locc,
- ток потребления в режиме хранения
Ices’,
-
потребляемую мощность Рсс;
- потребляемую мощность динамическую
Росс-,
-
время задержки распространения при включении (выключении)
(PHi(tpin)’,
- время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние высо
кого (низкого) уровня
tpZn
(
tpzL)\
- время задержки распространения при переходе из состояния высокого (низкого) уровня в со
стояние «Выключено»
tmz( tPLz)’,
■
время нарастания (спада) сигнала
tp(tFy,
- частоту следования импульсов тактовых сигналов / с;
- сопротивление нагрузки
RL\
-
входную емкость С/;
- выходную емкость Со;
- емкость входа/выхода С
- емкость нагрузки
CL\
- емкость кэш-памяти команд O
c
a
ch
e
msu
;
- емкость кэш-памяти данных
Q
c
a
chsdl
i
емкость кэш-памяти второго уровня
Q
c
a
chs
:
-
емкость оперативного запоминающего устройства QRAM;
- емкость постоянного запоминающего устройства Ояо«;
- емкость программируемого постоянного запоминающего устройства QPRov
(Q
e
p
rom
Q
ee
p
rcm
)‘\
-
емкость флэш-памяти Q
fl
a
sh
- тип интерфейса;
’ Обозначения
Qti-нои, QttppOM
используют для электрически программируемых и непрограммируемых
ПЗУ соответственно
2