ГОСТ 32135—2013
Приложение А
(обязательное)
Метод измерения напряженности магнитного поля,
создаваемого ТС 8 полосе частот от 50 Гц до 50 кГц
Испытания предназначены для оценки соответствия ТС нормам напряженности магнитного поля в соответ
ствии с 5.2 настоящего стандарта.
А.1 Аппаратура для проведения измерений
Анализатор спектра, имеющий входное полное сопротивление не менее 10 кОм. ширину полосы пропуска
ния на уровне минус 3 дБ от 8 до 30 Гц. например 10 Гц ± 20% и среднеквадратический детектор.
Рамочный датчик, имеющий следующие технические характеристики с допустимыми отклонениями i5 %
(см. рисунок А.1):
- диаметр — 13.3см:
- число витков — 36 в 4 слоя по 9 витков;
- провод — изолированный медный диаметром 1.25 мм.
- экранирование — электростатическое.
А.2 Коэффициент преобразования указанного датчика определяется выражением
Н = 253 Ulf.
где Н — напряженность магнитного поля. А.’м;
U — индуктированное напряжение. мВ;
f — частота .Гц.
А.З Установка для проведения испытаний
Установка для проведения испытаний приведена на рисунке А.2.
А.4 Процедура испытаний
Испытания проводят в следующей последовательности:
а) на вход ИТС подают сигналы для обеспечения нормального функционирования аппаратуры
(см. ГОСТ 30804.3.2. приложение В. разделы В.2 — В.4).
б) Подтверждают, что напряженность внешних магнитных полей на частотах измерений не превышает
одной четверти от значений норм, указанных в таблице 2.
в) Для ТС. предназначенных для установки в шкафах или стойках, измерения проводят для верхней и
нижней частей и боковых сторон. Рамочный датчик размещают на расстоянии (10 i 0.5) см от верхней части,
нижней части или боковой стороны ИТС. Плоскость рамочного датчика должна быть параллельна поверхности
ИТС. Отмечают положения датчика и частоты, при которых напряженность магнитного поля максимальна, и слу чаи
превышения норм, приведенных в таблице 2.
г) Для ТС. не предназначенных для установки а шкафах или стойках, напряженность магнитного поля изме
ряют для четырех сторон ТС. Для этого рамочный датчик размещают последовательно на расстоянии (1 г 0.05) м
от каждой стороны ИТС. Ориентируют плоскость рамочного датчика параллельно поверхности ТС.
Отмечают положения датчика и частоты, при которых напряженность магнитного поля максимальна, и случаи
превышения норм, приведенных в таблице 2 настоящего стандарта.
8