ГОСТ РМЭК 61620—2013
Удельная электропроводность о зависит как от свойств самого материала, так и от посторонних веществ,
которые он может содержать; о может также зависеть от воздействия электрического поля на материал.
Для гомогенного материала, особенно для жидкости, подвергаемой воздействию слабого поля, а является
константой по всему объему и поэтому объемная проводимость характеризует рассматриваемую жидкость.
Электропроводность большинства изоляционных жидкостей в слабом поле определяется диссоциацией и
рекомбинацией ионов одного (или нескольких) ионизуемого(ых) вещества (веществ).
В условиях термодинамического равновесия (без приложения поля или в очень слабом поле) объемную
проводимость о. См/м. определяют по формуле
< 7 = Z<с -2 >
где к,- подвижности носителей положительного и отрицательного зарядов.
m
’V(B
c
);
q,- объемные плотности зарядов. Кл/м\
Например, для одного ионизируемого вещества о является характеристикой ионной чистоты жидкости
а = к. Я. * к. q.(С.З)
Для получения удельной электропроводности о необходимо приложить напряжение V и измерить тох 1ц в
точно заданных условиях, используя подходящую испытательную камеру. На практике испытательную камеру
специально конструируют, чтобы обеспечить создание равномерного или условно-равномерного поля.
Если расстояние между электродами равно L и площадь поверхности электродов равна А. то можно
использовать следующие формулы:
„V
Е = — ;(С.4)
L
jI XL
(С-5)
^ЕVA :
(С.6)
V
где--------сопротивление R наполненной жидкостью испытательной камеры. Ом:
fft
G = — - проводимость.
R
Объемное сопротивление является величиной, обратной объемной проводимости
Р = —■ (С.7)
<т
С.2 Тангенс угла диэлектрических потерь tg 6
Для материала, к которому прикладывают синусоидальное напряжение, tg б является числовым значением
отношения мнимой части к действительной части комплексной диэлектрической проницаемости.
Для емкости С без потерь, емкостный ток /,. опережает напряжение V на тт/2.а его амплитуда равняется
Ic = C
oj
V, (С.8)
где ш—угловая частота, ш = 2гг£
где f - частота напряжения.
V
Для емкости, шунтированной сопротивлением R, существует синфазная составляющая / й = — .а общий
R
ток Г теперь опережает напряжение V на угол <р
<p = ’- - S(С.9)
где б - угол потерь, угол между Г и емкостной составляющей 1с(см. рисунок С.1);
1 = J L
1
i
8
s =
RCto ~ Сto ’
Жидкость с абсолютной диэлектрической проницаемостью с = еие, (где с,—относительная диэлектрическая
проницаемость) и удельной электропроводности а без дипольных потерь при рассматриваемой частоте дает ток
Lг
эквивалентный емкости С. шунтированной сопротивлением R, где К —
-----
и
ехА
_ е Л
------
— . тогда
L
(С.10)
о
1
tg d =
-----
= ---------.
£0)£р(0
Отсюда видно, что значение tg 6 можно получить из единственного измерения а и наоборот.
11